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本发明公开了一种BeMgZnO基的MSM结构紫外探测器及其制备方法，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有薄膜层；薄膜层上制作有作为金属接触的叉指电极图形，叉指电极之间的间隙部分为感光区域；所述薄膜层为BeMgZnO四元合金薄膜层，B...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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