一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该紫外探测器自下而上依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、ZnO纳米晶层和Au电极。其制备方法如下：先制备ZnO纳米晶的胶体分散相，然后将胶体分散相旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，旋涂并退火，最后镀上Au电极完成紫外探测器的制作。相比于传统的紫外探测器，此方法制备的紫外探测器暗电流低、响应灵敏度高、响应时间快，且结构简单、制备成本低，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种紫外探测器的制备方法，属于半导体器件

技术介绍
紫外探测技术是一项继红外探测技术和激光技术之后发展起来的新型的军民两用技术，广泛应用于空间通讯、导弹预警、污染检测以及生物医学等领域。目前市场上还是以技术较成熟的传统商用光电倍增管和硅基紫外探测器为主，未见薄膜晶体管结构的紫外探测器。ZnO是一种重要的新型宽禁带半导体材料，具有直接带隙能带结构，室温禁带宽度3.37eV，激子束缚能高达60meV，可见光透过率高，物理化学性质稳定，原料丰富等优点。相对于传统的光电倍增管和硅基紫外探测器，基于第三代宽禁带半导体ZnO基材料的紫外探测器可避免使用复杂昂贵的滤光片，并且其具有工作电压较低、能耗较小、体积小、重量轻等优点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种制备成本低、工艺简单易于生产，且暗电流小、响应速度快的ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法。本专利技术的ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器，自下而上依次有低阻Si层、SiO2绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该探测器自下而上依次有低阻Si层(1)、SiO2绝缘层(2)、ZnO纳米晶层(3)和Au电极(4)，其特征在于，该探测器的制备方法包括以下步骤：1)将Zn(CH3COOH)2·2H2O溶解于二甲基亚砜，使Zn(CH3COOH)2·2H2O浓度为0.1M，获得A溶液；将(CH3)4NOH·5H2O溶解于乙醇，使(CH3)4NOH·5H2O浓度为0.55M，获得B溶液；将B溶液滴加至A溶液中，在室温下搅拌反应2～24h，获得混合溶液C；其中B溶液与A溶液的体积比为1:3；向每40mL溶液C中加入40mL的乙酸乙酯，使ZnO纳米晶析出，离心后倒去上层...

【技术特征摘要】
1.一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该探测器自下而
上依次有低阻Si层(1)、SiO2绝缘层(2)、ZnO纳米晶层(3)和Au电极(4)，
其特征在于，该探测器的制备方法包括以下步骤：
1)将Zn(CH3COOH)2·2H2O溶解于二甲基亚砜，使Zn(CH3COOH)2·2H2O
浓度为0.1M，获得A溶液；
将(CH3)4NOH·5H2O溶解于乙醇，使(CH3)4NOH·5H2O浓度为0.55M，获
得B溶液；
将B溶液滴加至A溶液中，在室温下搅拌反应2～24h，获得混合溶液C；
其中B溶液与A溶液的体积比为1:3；
向每40mL溶液C中加入40mL的乙酸乙酯，使ZnO纳米晶析出，离心后
倒去上层清液，再加入10mL乙醇和160uL乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘新花，王伟豪，戴文，叶志镇，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33