【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种改进的硅PN结光电二极管，它具有对光、特别是对紫外光选择增强响应度的效果。
技术介绍
紫外探测在军事、消防、医疗等领域有重要的应用。紫外光波长范围在1～400nm左右，200nm以下的紫外光基本上被大气完全吸收，所以就应用而言，人们主要关心400～200nm这一波段的紫外光。但这个波段的紫外光在硅中的吸收系数高达105～106cm-1，它们在硅中的有效透射深度小于100nm；且硅表面对这个波段的紫外光的反射率达60％～70％。用热扩散方法形成的硅PN结扩散层，由于在硅表面杂质呈高浓度分布，形成了一个载流子的高复合率表面层，整个扩散层作为受光面，入射光所激发的光生载流子基本上处在这个薄层之内，成为影响硅器件光线、特别是紫外光响应度的主要原因。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新型的硅PN结光电二极管，提高硅光电器件对光线、特别是对紫外光的响应度，且工艺成熟，方法简便，成本低廉。本专利技术的技术方案是新型的硅PN结光电二极管，它有衬底材料硅，PN结扩散层，二氧化硅层和电极引线，其特征在于受光面处露有衬底材料硅。如上所述的光电二极管，其特征在于衬...
【技术保护点】
新型的硅ＰＮ结光电二极管，它有衬底材料硅，ＰＮ结扩散层，二氧化硅层和电极引线，其特征在于受光面处露有衬底材料硅。
【技术特征摘要】
1.新型的硅PN结光电二极管，它有衬底材料硅，PN结扩散层，二氧化硅层和电极引线，其特征在于受光面处露有衬底材料硅。2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于衬底材料硅作为...
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