【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种硅光电ニ极管，尤其是用作光电探测器，即用在遥控电路或者光纤通信中能够探测特定波长的硅光电ニ极管。技术背景 光电ニ极管是ー种吸收光信号-光子(Photon)，将其转换成电信号-电流的元件，英文通常称为Photo-Diode (PD)。在光电ニ极管管壳上有一个能射入光线的玻璃透镜，入射光通过透镜正好照射在管芯上.发光二极管管芯是ー个具有光敏特性的PN结，它被封装在管壳内.发光二极管管芯的光敏面是通过扩散エ艺在N型单晶硅上形成的ー层薄膜。光敏ニ极管的管芯以及管芯上的PN结面积做得较大，而管芯上的电极面积做得较小，PN结的结深比普通半导体ニ极管做得浅，这些结构上的特点都是为了提高光电转换的能力。硅光电ニ极管是ー种特殊的电荷存储ニ极管，由于功耗小速度快等优点而被广泛应用。PIN结ニ极管是最常用的一种硅光电ニ极管，因为它由三层，即P型Si层(P层)、高阻硅层(I层)和N型Si层(N层)所组成，因此称为PIN结的硅光电ニ极管，PIN结硅ニ极管的上面的防反射膜采用ニ氧化硅和氮化硅。PIN结ニ极管从紫外到近红外区光谱范围，有响应速度快，低暗电流和高灵敏度的特点。紫蓝硅光电池具有光电倍增管，具有光电管无法比拟的宽光谱响应，它特别适用于工作在300nm-1000nm光谱范围的各种光学仪器，对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠，电路设计简单灵活，是光电管的更新换代女ロ)PR o
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术缺陷，提供ー种工作在430nm-lIOOnm光谱，暗电流小，光电转换效率高的硅光电ニ极管。现实本技术的技术方案是紫蓝硅光电ニ极管，在高...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.紫蓝硅光电ニ极管，其特征是，在高电阻率的N型区熔单晶片的正面周边设有环状N型Si层，环状N型Si层内侧设有P型Si层，在环状N型Si层和P型Si层之间隔着环形高阻硅层，在P型Si层表面设有氮化硅膜，环形高阻硅层表面设有ニ氧化硅膜，P型Si层上有小部分氮化硅膜被光刻、腐蚀掉，形成P型Si层裸露区，在P型Si层裸露区表面贴附有金属AL作为阳极，硅片的背面积淀金属Cr或Au膜阴极。2.根据权利要求I所述的紫蓝硅光电ニ极管，其特征是，所述氮化硅膜的厚度为I, 130^1, 330...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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