一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法，包括如下步骤，步骤一，在多晶硅上成长200~400A二氧化硅作为硬掩膜层；步骤二，涂覆光刻胶并曝光显影；步骤三，在温度为100~3000C的条件下，利用紫外线照射处理光刻胶；步骤四，干法刻蚀。利用该发明专利技术的方法照射处理光刻胶，利于做小线宽，利于提高2D图形的工艺窗口。在保证刻蚀工艺窗口，同时利于减薄光刻胶厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微电子领域缩小硅栅线宽的方法，尤其涉及。
技术介绍
在微电子领域，为提高器件性能，在确保控制漏电的前提下，一般都选择做小硅栅关键尺寸线宽(CD)。在高性能工艺中，普遍地硅栅线宽只有该层允许设计最小空间周期 (pitch)的1/4左右。但是光刻工艺受光刻机光学性能的限制，通常最大的工艺窗口维持在线条(line)间隔(Space)I 1的条件下，这与实际需求存在很大的差距。为做小硅栅线宽， 目前普遍的做法是在后续干法刻蚀工艺中增加处理光刻胶和硬掩膜层步骤来缩小线宽。但是，现行方法由于使用02作为处理气体，存在刻蚀各向同性的特点，在线头(line-end)和线条间隔(line-gap)的图形存在过刻导致线宽过小以及缩头明显的缺点；同时也限制了对光刻厚度减薄。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术的目的是提供，在保证线宽做小的前提下提高2D图形(即line-end，line gap)的工艺窗口 ；同时，在保证工艺窗口的前提下，尽可能减薄光刻胶厚度。本专利技术的目的是通过下述技术方案实现的，其中，包括如下步骤， 步骤一，在多晶硅上成长20(Γ400Α 二氧化硅作为硬掩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：景旭斌，杨斌，郭明升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：