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本发明公开了一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法，包括如下步骤，步骤一，在多晶硅上成长200~400A二氧化硅作为硬掩膜层；步骤二，涂覆光刻胶并曝光显影；步骤三，在温度为100~3000C的条件下，利用紫外线照射处理光刻胶；步骤四，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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