硅光电二极管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及硅光电二极管及其制造方法，目的是提供一种暗电流小，光电转换效率高的硅光电二极管及其制造方法。硅光电二极管，在高电阻率的N型硅片的正面周边设有环状N型Si层，在环状N型Si层内设有P型Si层，在环状N型Si层和P型Si层之间隔着环形高阻硅层，在P型Si层上设有氮化硅膜，P型Si层上有小部分氮化硅膜被光刻、腐蚀掉，形成P型Si层电极区，在电极区表面贴附有金属作为阳极，在环形高阻硅层及其与P型Si层和N型Si层接触区表面贴附有金属。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是用作光电探测器，即用在遥控电路或者光纤通信中能够探测特定波长的。
技术介绍
光电二极管是一种吸收光信号-光子(Photon)，将其转换成电信号-电流的元件， 英文通常称为Photo-Diode (PD)。在光电二极管管壳上有一个能射入光线的玻璃透镜， 入射光通过透镜正好照射在管芯上.发光二极管管芯是一个具有光敏特性的PN结，它被封装在管壳内.发光二极管管芯的光敏面是通过扩散工艺在N型单晶硅上形成的一层薄膜.光敏二极管的管芯以及管芯上的PN结面积做得较大，而管芯上的电极面积做得较小， PN结的结深比普通半导体二极管做得浅，这些结构上的特点都是为了提高光电转换的能力。另外，与普通半导体二极管一样，在硅片上生长了一层Si02保护层，它把PN结的边缘保护起来，从而提高了管子的稳定性，减少了暗电流。硅光电二极管是一种特殊的电荷存储二极管，由于功耗小速度快等优点而被广泛应用。如图1所示，PIN结二极管是最常用的一种硅光电二极管，因为它由三层，即P型Si 层(P层)、高阻硅层(I层)和N型Si层(N层)所组成，因此称为PIN结的硅光电二极管，PIN 结硅二极管的上面的防本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．硅光电二极管，其特征是，在高电阻率的Ｎ型硅片的正面周边设有环状Ｎ型Ｓｉ层，在环状Ｎ型Ｓｉ层内设有　Ｐ型Ｓｉ层，在环状Ｎ型Ｓｉ层和　Ｐ型Ｓｉ层之间隔着环形高阻硅层，在Ｐ型Ｓｉ层上设有氮化硅膜，Ｐ型Ｓｉ层上有小部分氮化硅膜被光刻、腐蚀掉，形成Ｐ型Ｓｉ层电极区，在电极区表面贴附有金属作为阳极，在环形高阻硅层及其与Ｐ型Ｓｉ层和Ｎ型Ｓｉ层接触区表面贴附有金属。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：发明
国别省市：84