【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种平面ＰＩＮ光电二极管浅台面芯片（２０），其外延片结构包括在ｎ型掺杂的ＩｎＰ衬底（２１）上依序外延生长ｎ型掺杂的ＩｎＰ过渡层（２２）、不掺杂ＩｎＧａＡｓ吸收层（２３）、不掺杂ＩｎＰ腐蚀终止层（２４）、ｐ型掺杂ＩｎＰ帽层（２５）和ｐ型掺杂ＩｎＧａＡｓ欧姆层（２６），其特征在于，所述不掺杂ＩｎＰ腐蚀终止层（２４）和ｐ型掺杂ＩｎＰ帽层（２５）之间还外延生长有不掺杂ＩｎＧａＡｓ引入层（２５′）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹均凯，王国栋，吴中海，周勇，
申请(专利权)人：深圳飞通光电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]
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