强介电存储器及其制造方法技术

提供一种能高度集成化的强介电存储器。本发明专利技术的强介电存储器（１０００）包括片状器件（１００），而片状器件（１００）具有包含强介电电容器（２０）的存储单元阵列（１０２），和包含在存储单元阵列（１０２）上方形成的薄膜晶体管的电路部分（１０４）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，采用能通过自发极化保持数据的强介电电容器的强介电存储器(FeRAM)受到人们的注目。这种强介电存储器之中，被称为所谓交叉点(クロスポィント)型的存储器，不必使强介电电容器与MOS晶体管一一对应地构成，能够仅由强介电电容器构成存储器。因此，人们期待着能在简化结构下高度集成化。但是，例如对于交叉点型强介电存储器而言，即使削减存储单元阵列区域的面积，也需要在存储单元阵列周边形成控制电路。也就是说，作为强介电存储单元阵列全体，必须占用大的面积，为了实现高度集成化，人们期望进一步加以改善。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种能更高度集成化的半导体装置。(1)本专利技术的强介电存储器包括片状器件，该片状器件具有包含强介电电容器的存储单元阵列，和包含在所述的存储单元阵列上方形成的薄膜晶体管的电路部分。本专利技术的强介电存储器由包含在存储单元阵列上方设置控制存储单元动作的片状器件构成。其中所述的电路，可以包括在所述的存储单元书写信息用电路和从所述的存储单元读取信息用电路。本专利技术中的这种片状器件，不必在存储单元阵列周边设置电路部分。因此，能够提高强介电存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种强介电存储器，包括片状器件，所述的片状器件具有包含强介电电容器的存储单元阵列，和包含在所述的存储单元阵列上方形成的薄膜晶体管的电路部分。根据。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-6 2003-296571.一种强介电存储器，包括片状器件，所述的片状器件具有包含强介电电容器的存储单元阵列，和包含在所述的存储单元阵列上方形成的薄膜晶体管的电路部分。根据2.权利要求1所述的强介电存储器，其特征在于所述的片状器件被层叠多层。3.根据权利要求1或2所述的强介电存储器，其特征在于所述的薄膜晶体管半导体层是多晶硅层。4.根据权利要求1或2所述的强介电存储器，其特征在于所述的存储单元阵列，由以线状形成的多个第一电极、与该第一电极交叉的多个第二电极、被设置在所述的第一电极和所述的第二电极的至少交叉区域的强介电层构成。5.根据权利要求1或2所述的强介电存储器，其特征在于在所述的片状器件周边还设有周边电路部分。6.根据权利要求1或2所述的强介电存储器，其特征在于所述的周边电路部分的结构包含薄膜晶体管。7.根据权利要求1或2所述的强介电存储器，其特征在于所述的强介电层的构成元素中同时含有硅和锗，其比例为0≤(锗/硅)≤10。8.一种强介电存储器的制造方法，其特征在于包括(a)形成包含强介电电容器的存储单元阵列，(b)通过在所述的存储单元阵列的上方形成由薄膜晶体管构成的电路部分形成片状器件。9.一种强介电存储器的制造方法，其特征在于包括在能透过光的第一基体上形成吸收该光而改性的分离层，(b)在所述的分离层上形成包含强介电电容器的存储单元阵列、和设置在该存储电源阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本昭人，名取荣治，下田达也，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]