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提供一种能高度集成化的强介电存储器。本发明的强介电存储器（１０００）包括片状器件（１００），而片状器件（１００）具有包含强介电电容器（２０）的存储单元阵列（１０２），和包含在存储单元阵列（１０２）上方形成的薄膜晶体管的电路部分（１０４）。...
该专利属于精工爱普生株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。

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