【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到微控制器(以下简称为MCU)。更具体地说，涉及到用不挥发性可编程半导体存储器来保存信息的一种MCU。不挥发性可编程半导体存储器利用超薄介质，比如说MOS栅介质的击穿现象来保存数字信息。
技术介绍
微控制器(Micro Controller Unit)又可简称为MCU或μC。MCU可以独立工作，在不同的应用场合完成不同的控制功能。MCU主要由CPU(中央处理器)、存储器、I/O(输入/输出电路)构成，集合在一个或多个半导体芯片中。这里使用的“微控制器”这个词语包括具有存储器的半导体芯片。在MCU中，通过存储器来保存数据、指令和程序。MCU具有体积小、可靠性高、功能强、灵活方便等优点，故可以广泛应用于电子、工业控制等各个领域。现在，8位、32位的MCU，其应用占主导地位。应该指出的是，本文使用了微控制器(简称MCU)或芯片等词语来叙述至少具有一块集成电子电路的一种器件，而这种集成电子电路至少有一个存储器。MCU中一般使用两种存储器。一种用于存放应用程序和指令，称为程序存储器；另一种主要用来存放实时数据或作为通用寄存器、数据堆栈和数据缓冲器，故也成为...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微控制器，这种微控制器包括一个处理器和一个存储器，其特征是所述存储器包括(a)一只MOS场效应晶体管，该晶体管具有一个栅极，在栅极下面有一层栅介质，在栅介质和栅极下面有相互隔开并在其间确定出一沟道区的第1和第2掺杂半导体区；(b)一个MOS数据存储元件，该存储元件有一个导电结构，在导电结构下面有一层超薄介质，在超薄介质和导电结构下面有第1掺杂半导体区，MOS数据存储元件的第1掺杂半导体区与MOS场效应晶体管的第1掺杂半导体区连接在一起；(c)与MOS场效应晶体管的栅极连接在一起的一段选线；与MOS场效应晶体管的第2掺杂半导体区连接在一起的第一段存取线；(d)和与MOS数据存储元件的导电结构连接在一起的第2段存取线。2.按权利要求1所述的微控制器，其特征是每一个MOS数据存储元件有一个反型-允许区位于超薄介质和导电结构的下面与MOS数据存储元件的第1掺杂区邻接。3.按权利要求1所述的微控制器，其特征是每一个MOS数据存储元件有一个第2掺杂区位于超薄介质和导电结构下面与MOS数据存储元件第1掺杂区集成在一起。4.按权利要求1所述的微控制器，其特征是MOS场效应晶体管的栅介质和MOS数据存储元件的超薄介质是通过一层共同的超薄栅氧化层形成的。5.按权利要求1所述的微控制器，其特征是MOS场效应晶体管的栅介质比MOS数据存储元件的超薄介质厚。6.一种微控制器，该微控制器包括一个处理器，和一个具有选择线和存取线的存储器阵列，其特征是该存储器阵列具有大量的可编程只读存储器单元，这些存储器单元有一只选择晶体管与两条存取线之间的一个数据存储元件串联在一起，选择晶体管的栅极与其中一条选择线连接在一起，数据存储元件有一层超薄介质用于物理数据存储。7.按权利要求6所述的微控制器，其特征是数据存储元件是一种MOS半晶体管。8.按权利要求6所述的微控制器，其特征是数据存储元件是一种MOS电容。9.对于包括有一个可编程只读存储器阵列的一种微控制器进行编程的方法，其特征是微控制器的可编程只读存储器阵列包括大量的行线、大量的列线、至少一条源线、和大量的存储器单元位于各自的行线和列线的交叉点，每一个存储器单元有一个MOS场效应晶体管与列线和至少一条源线的一条之间的一个MOS数据存储元件串联在一起，MOS晶体管的栅极与其中一条行线连接在一起，MOS数据存储元件有一层超薄介质用于物理数据存储，这种编程方法包括给其中一条被选择的行线加上第一个电压，开启其栅极与选择的行线连在一起的每一个MOS场效应晶体管；给其中一条被选择的列线加上第二个电压；和给至少一条源线加上第三个电压；其中第二个电压和第三个电压使与选择的行线和选择的列线连...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭泽忠，巫向东，毛军华，雷鸣，帅谊鹏，
申请(专利权)人：绵阳凯路微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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