磁记录介质和磁存储装置制造方法及图纸

一种磁记录介质，具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的FePt合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少一层为含TiO2底层。

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质和磁存储装置
本专利技术涉及一种磁记录介质和磁存储装置。
技术介绍
近年，硬盘驱动器HDD的大容量化的需求日益提高。作为满足这种需求的手段，提出了采用安装了激光二极管的磁头对磁记录介质进行加热以进行记录的热辅助记录方式、以及、通过施加10GHz以上的高频率以进行记录的高频率记录方式。在热辅助记录方式中，藉由对记录介质进行加热，可大幅降低保磁力，所以，可在记录介质的磁性层使用磁晶异方性常数Ku较高的材料。为此，可在维持热稳定性的同时进行磁性粒径的微细化，并可实现1Tbit/inch2级别的面密度。另一方面，在高频率辅助记录的情况下，藉由安装在磁头(head)上的STO(SpinTorqueOscillator)所发出的高频波的辅助，也能进行介质的保磁力以下的记录磁场的写入。为此，与热辅助记录的情况同样地，可在记录介质的磁性层使用结晶磁气异方性常数Ku较高的材料。作为高Ku磁性材料，提出了L10型FePt合金、L10型CoPt合金、L11型CoPt合金等的有序合金等。另外，在磁性层中，为了对由上述有序合金组成的结晶粒进行隔离(isolate)，还添加了作为粒界相材料(grainboundaryphasematerial)的SiO2、TiO2等的氧化物或者C、BN等。藉由构成为在粒界相所分离的磁性结晶粒的粒状结构，可降低磁性颗粒间的交换结合(耦合)，并可实现较高的介质SN比(Signal-to-Noiseratio)。在磁性层使用上述L10型FePt合金的情况下，为了实现高垂直磁气异方性，最好使c轴具有与膜面垂直的(001)密排方向(配向)。另外，L10型FePt合金的密排方向可由底层所控制之技术事项也是周知的。例如，专利文献1中提出了，通过在(100)面被控制为与基板平行的MgO或NiO等的底层上形成L10型FePt合金，该FePt合金可呈现(001)密排方向。另外，专利文献2和专利文献3中提出了，通过在具有ZrN、TaN、CrN等的NaCl结构的底层上形成L10型FePt磁性层，该磁性层可呈现良好的(001)密排方向。再有，非专利文献1、非专利文献2及非专利文献3中提出了，通过分别在具有NaCl型结构的FeO底层、TiN底层、TiC底层上形成L10型FePt磁性层，该磁性层可呈现(001)密排方向。[现有技术文献][专利文献1]特开平11-353648[专利文献2]特开2009-146558[专利文献3]US7829208-B2[非专利文献1]IEEETrans.Magn.Vol.41，3211-3213(2005)[非专利文献2]J.Vac.Sci.Technol.B25(6)，1892-1895(2007)[非专利文献3]IEEETrans.Magn.Vol.47，4077-4079(2011)
技术实现思路
[专利技术要解决的课题]近年，存在着要对磁记录介质的介质SN比进行提高的需求。但是，通过将磁性层所含的L10型FePt合金设计为(001)密排方向，尽管可以提高垂直磁气异方性，然而，并不能获得充分的介质SN比。本专利技术是鉴于上述现有技术所具有的问题而提出的，其目的在于提供一种具有较高介质SN比的磁记录介质。[用于解决课题的手段]根据本专利技术的一个方面，提供一种磁记录介质，其特征在于具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的FePt合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间，其中，所述多个底层中的至少1层为含TiO2底层。[专利技术的效果]根据本专利技术的实施方式，可提供一种具有较高介质SN比的磁记录介质。附图概述[图1]本专利技术的第2实施方式的磁记录装置的结构图。[图2]本专利技术的第2实施方式的磁头的结构图。[图3]实验例1所制作的热辅助磁记录介质的层结构截面模式图。[图4]实验例2所制作的热辅助磁记录介质的层结构截面模式图。[符号说明]100磁存储装置101、212磁记录介质301、401玻璃基板304、407含TiO2底层(即，含有TiO2的底层)305、408磁性层本专利技术的实施方式以下对本专利技术的实施方式进行说明，然而，本专利技术并不限定于下述实施方式，只要不脱离本专利技术的技术范围，可对下述实施方式进行各种各样的变形或置换。[第1实施方式]以下对本实施方式的磁记录介质的结构例进行说明。本实施方式的磁记录介质具有基板；包含具有L10结构的FePt合金的磁性层；及在基板和磁性层之间所配置的多个(这里需要说明的是，多个指2个以上)底层。另外，多个底层中的至少1层为含TiO2底层。这里，对各层进行说明。作为基板，对其并无特别的限定，但是，例如可使用玻璃基板，尤其优选为使用耐热玻璃基板。然后，在基板上形成多个底层。多个底层中的至少1层为含TiO2底层。关于该点将在以下进行说明。首先，为了使磁性层所含的具有L10型结构的FePt合金具有尽可能良好的(001)密排方向，底层和L10型FePt合金的晶格错配最好较小。但是，经本专利技术的专利技术人的研究可知，通过沿L10型FePt合金的膜的面内方向施加拉伸应力，可以提高有序度。为此，底层的晶格常数最好为可沿L10型FePt合金的膜的面内方向导入适当拉伸应力的值。另外，为了促进磁性层所含的L10型FePt合金的有序化，该FePt合金优选为在600℃以上的高温下进行成膜。为此，至少在磁性层的正下面所形成的底层最好为融点比FePt合金的成膜温度高并且化学性比较稳定的材料。如果磁性层的正下面所形成的底层的融点比FePt合金的成膜温度低，则底层材料在FePt合金的成膜时等会向FePt合金内进行扩散，并非较好者。这里，TiO2可为正方晶系(tetragonalsystem)的金红石(rutile)型结构、锐钛矿(anatase)型结构、斜方晶系(orthorhombicsystem)的板钛矿(brookite)型结构之技术事项是熟知的。表1中示出了TiO2为上述各结构时的a轴长度、b轴长度以及c轴长度的值。另外，TiO2的融点高于FePt合金的成膜温度。[表1]结晶结构结晶系a(nm)b(nm)c(nm)锐钛矿正方晶系0.3780.3780.951金红石正方晶系0.4540.4540.296板钛矿斜方晶系0.5450.9170.514例如，金红石型结构的TiO2的a轴长度为0.474nm，比L10型结构的FePt合金的a轴长度(0.385nm)大16％左右。但是，在TiO2为金红石型结构的含TiO2底层的上，可以磊晶(epitaxial)成长磁性层，该磁性层包含L10结构的FePt合金。此时，为了使具有L10结构的FePt合金为(001)密排方向，含TiO2底层优选为(100)密排方向。这里需要说明的是，含TiO2底层为(100)密排方向是指，含TiO2底层具有(100)面与基板面平行的密排方向。这样，在含金红石型TiO2的底层上进行了包含L10型FePt合金的磁性层的成膜后，为了沿L10型结构的FePt合金的膜的面内方向施加拉伸应力，如上所述，可设计为具有良好有序度的L10型结构的FePt合金。为此，通过将磁性层形成在含TiO2底层的上，可获得呈现较高垂直磁气异方性的磁记录介质，并为具有较高介质SN比的磁记录介质。这里需要说明的是，含TiO2底层所含的TiO2并不限定于金红石型结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，具有：基板；磁性层，包含具有Ｌ10结构的ＦｅＰｔ合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间，其中，所述多个底层中的至少1层为含ＴｉＯ2底层。

【技术特征摘要】
2013.06.20 JP 2013-1298831.一种磁记录介质，具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的FePt合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间，其中，所述多个底层中的至少1层为含TiO2底层，所述含TiO2底层的主成分为金红石型TiO2。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：所述多个底层包含由Cr或者以Cr为主成分的BCC结构的合金所形成的底层，所述含TiO2底层形成在由所述Cr或者以Cr为主成分的BCC结构的合金所形成的底层之上。3.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：所述含TiO2底层形成在由具有B2结构的材料所形成的底层之上。4.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：所述含TiO2底层形成在由具有第1NaCl型结构的材料所形成的底层之上。5.如权利要求4所述的磁记录介质，其中：由具有所述第1NaCl型结构的材料所形成的底层所含的具有NaCl型结构的材料为MgO。6.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中：所述磁性层形成在所述含TiO2底层的正上面。7.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中：在所述含TiO2底层之上配置了由具有第2NaCl型结构的材料所形成的底层...

【专利技术属性】
技术研发人员：神边哲也，丹羽和也，村上雄二，张磊，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP