磁记录介质和磁存储装置制造方法及图纸

一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质和磁存储装置
本专利技术涉及一种磁记录介质和磁存储装置。
技术介绍
近年，硬盘驱动器ＨＤＤ的大容量化的需求日益提高。作为满足这种需求的手段，提出了一种采用安装了激光光源的磁头对磁记录介质进行加热以进行记录的热辅助磁记录方式。采用热辅助磁记录方式，藉由对磁记录介质进行加热，可大幅降低保磁力，所以，可在磁记录介质的磁性层使用磁晶异方性常数Ｋｕ较高的材料。为此，可在对热稳定性进行维持的同时进行磁粒粒径的微细化，并可实现1Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ2级别的面密度。作为高Ｋｕ磁性材料，提出了Ｌ10型ＦｅＰｔ合金、Ｌ10型ＣｏＰｔ合金、Ｌ11型ＣｏＰｔ合金等的有序合金等。另外，在磁性层中，为了对由上述有序合金组成的结晶粒进行隔离（isolate），添加了作为粒界相材料（grainboundaryphasematerial）的ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等的氧化物或Ｃ、ＢＮ等。藉由具有在粒界相所分离的磁性结晶粒的粒状结构，可降低磁性粒子间的交换结合，并可实现较高的介质ＳＮ比。非专利文献1中记载了，通过在ＦｅＰｔ添加38％的ＳｉＯ2，可将磁粒粒径降低至5ｎｍ。再有，在该文献还记载了，通过将ＳｉＯ2的添加量再本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层，其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下的从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。

【技术特征摘要】
2013.04.12 JP 2013-084285;2013.06.13 JP 2013-124791.一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；在所述多个底层上形成的磁性层；及密排方向控制底层，其包含从Cr、以Cr为主成分的BCC结构的合金及具有B2结构的合金中所选择的1种以上的金属，其中，所述磁性层的主成分是(001)密排方向的具有L10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有W的结晶质底层；所述W是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含1mol％以上、20mol％以下的从B、Si及C中所选择的1种以上的元素，及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有NaCl结构的材料，所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：所述具有NaCl结构的材料包含从MgO、TiO、NiO、TiN、TiC、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC及NbC中所选择的1种以上的化合物。3.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：所述磁性层包含从SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、B2O3、C、B及BN中所选择的1种以上的物质；及所述磁性层的主成分是CoPt合金或具有L10结构的FePt合金。4.一种磁存储装置，包含：权利要求1至3的任1项所述的磁记录介质。5.一种磁记录介质，包含：基...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，神边哲也，村上雄二，丹羽和也，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP