强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器制造技术

本发明专利技术提供一种适于非破坏读出法的强电介质层及其制造方法。本发明专利技术的强电介质层（３０）是一种含有空间电荷的强电介质层（３０），对所述强电介质层（３０）的膜厚方向上，在上部或下部的至少任一方中，所述空间电荷具有空间电荷浓度峰值。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种强电介质层、强电介质层的制造方法、强电介质电容器以及强电介质存储器，特别是涉及到适于非破坏读出的强电介质层。
技术介绍
目前，作为IC存储器，就有强电介质存储器的提案。强电介质存储器是一种用1对电极夹持强电介质层所组成的存储器。强电介质膜具有如图1的实线所示的磁滞特性，是通过自动极化来保存数据的。下面说明强电介质存储器的工作方法的一个例子。例如，定义正的残留极化值(图1的A)为“1”、负的残留极化值(图1的B)为“0”。当施加了正的读出电压时，若存储器单元上写有数据“0”，则从负的极化状态转换为正的极化状态，而在存储器单元上写有数据“1”时，不发生极化状态的转换。因此，可以检测出与各自的状态相对应的电荷量，可以辨别出是“0”或“1”。在所述的工作方法中，为了把通过施加的读出电压而转换的强电介质膜，返回到原来的极化状态，有必要再次施加写入电压。近年来，作为其他的强电介质存储器的工作方法，提出了下面的「非破坏读出法」。在「非破坏读出法」中，对于如图1实线所示的磁滞特性的A以及B，施加了微小电压时的A和B的错位之差，即利用根据A和B的电容之差来执行读出。(参照Inte本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种强电介质层，含有空间电荷，其特征在于：所述空间电荷是对所述强电介质层的膜厚方向上，在上部或下部的至少一方中，具有空间电荷浓度峰值。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-27 2003-0882191.一种强电介质层，含有空间电荷，其特征在于所述空间电荷是对所述强电介质层的膜厚方向上，在上部或下部的至少一方中，具有空间电荷浓度峰值。2.根据权利要求1所述的强电介质层，其特征在于；所述的强电介质层，在所述上部或所述下部中，具有空间电荷浓度峰值；所述上部的空间电荷的极性和所述下部的空间电荷的极性是不同的。3.一种强电介质层的制造方法，所述电介质层含有空间电荷，其特征在于所述空间电荷是通过对所述强电介质层的膜厚方向上，在上部或下部的至少一方中，产生结晶缺陷而形成。4.根据权利要求3所述的强电介质层的制造方法，其特征在于所述空间电荷是通过对所述强电介质层的膜厚方向上，在上部或下部产生结晶缺陷而形成；所述上部的空间电荷极性和所述下部的空间电荷的极性是不同的。5.一种强电介质层的制造方法，其特征在于，包括含有通过产生结晶缺陷而形成的空间电荷的第1强电介质部形成工序；在所述第1强电介质部的上方，形成第2强电介质部的工序。6.根据权利要求5所述的强电介质层的制造方法，其特征在于，还包括通过在所述第2强电介质部的上方，产生结晶缺陷而形成含有空间电荷的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柄泽润一，大桥幸司，滨田泰彰，木岛健，名取荣治，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]