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新型的硅ＰＮ结光电二极管，它有衬底材料硅，ＰＮ结扩散层，二氧化硅层和电极引线，其特征在于受光面处露有衬底材料硅。能提高硅光电器件对光线、特别是对紫外光的响应度，在４００～２００ｎｍ波段具有比普通硅光电二极管明显增强的紫外响应度，在３６５ｎｍ...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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