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本发明提供一种肖特基二极管，包括衬底层以及形成在衬底层上方的一系列Ⅲ族氮化物层，利用异质结结构，使相邻Ⅲ族氮化物层之间形成二维电子气沟道，Ⅲ族氮化物层与阴极电极形成欧姆接触，Ⅲ族氮化物层与阳极电极形成肖特基接触；还包括与阳极电极连接的金属场...
该专利属于苏州英能电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州英能电子科技有限公司授权不得商用。

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