一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8～12nm，折射率为2.3～2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18～24nm，折射率为2.0～2.1，第三层氮化硅薄膜的厚度为35～45nm，折射率为1.9～2.0。本发明专利技术还提供一种制备晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的方法，利用硅烷和氨气为原料，利用等离子体增强化学气相沉积方法，采用新的工艺参数，在硅片上镀三层折射率与膜厚不同的氮化硅薄膜体系，具有对设备要求不高，易于实现的优点。本镀膜工艺增强了镀膜的钝化效果，降低了减反射膜对光的反射率，从而提高太阳能电池的转换效率。三层氮化硅减反射膜能比单层减反射膜体系增加光电转换效率0.2～0.3%。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池的生产加工
，更具体地说，是一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法。
技术介绍
近十年来太阳能光伏发电成为新能源中发展最为迅速的分支之一。太阳能光伏发电中晶体硅太阳能电池是应用最广泛的电池类型。约占80%的市场份额。2011年全球光伏新增装机容量超过27GW。为了晶体硅电池得到更高的光电转换效率，可以从增加电池对太阳光的吸收以产生更多的光生载流子入手。工业上一般采用在制绒以后的硅片表面镀上减反射膜，减反射膜的作用就是利用光在减反射膜上下表面反射产生的光程差，使得两束反射光干涉相消，从而削弱反射，增加入射，从而增加电池的短路电流提高光电转换效率。通过调节减反射膜·的种类、厚度和折射率，使得入射光符合一定的光程条件达到减反射的效果。在晶体硅太阳能电池的生产工艺中，常用的减反射层材料由Si02、SiNx, ITO等。晶体硅电池行业目前普遍采用PEVCD制备SiNx和SiO2作为减反射膜。通过选用不同的减反射材料和不同的沉积层数相互配合，达到最佳的减反射效果，并最终提高电池片的光电转换效率。为了更好的提高减反射膜与可见光波段内太阳光的光学匹配度，同时考虑平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8~12nm，折射率为2.3~2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18~24nm，折射率为2.0~2.1，第三层氮化硅薄膜的厚度为35~45nm，折射率为1.9~2.0。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8 12nm，折射率为2. 3^2. 4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18 24nm，折射率为2. (Γ2. I，第三层氮化硅薄膜的厚度为35 45nm，折射率为 I. 9 2. O。2.根据权利要求I所述的晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，所述的三层氮化硅减反射膜的厚度之和为72 77nm。3.一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的制备方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于，是利用等离子体增强化学气相沉积方法在硅片表面依次沉积三层氮化硅薄膜，它包括下面的步骤 (1)对炉管抽真空，保持炉内温度420°C，压力50mTorr，时间为4min； (2)对炉管进行预处理，温度升至460°C，氮气流量为IOslm进行吹扫，后抽真空至压力为 IOOmTorr 并保持 2m...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯泽荣，黄仑，卢春晖，王金伟，崔梅兰，
申请(专利权)人：东方电气集团宜兴迈吉太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：