一种N型双面太阳能电池制造技术

技术编号:22709757 阅读:86 留言:0更新日期:2019-11-30 13:32
本实用新型专利技术涉及一种N型双面太阳能电池,包括N型晶体硅层,N型晶体硅层的正面设置一层p+型晶体硅层,p+型晶体硅层的正面镀膜形成一层保护膜,保护膜的正面镀膜形成第一钝化减反膜,第一钝化减反膜的正面设置有正电极;N型晶体硅层的背面设置重掺杂的N+背场层,N+背场层的背面镀膜形成第二钝化减反膜,第二钝化减反膜的背面设置有负电极本实用新型专利技术电池结构紧凑,制作工艺简单,成本低廉,有效提高了电池效率。

A n-type double-sided solar cell

The utility model relates to an n-type double-sided solar cell, which comprises an n-type crystal silicon layer, a p + type crystal silicon layer is arranged on the front of the n-type crystal silicon layer, a protective film is formed by the front coating of the P + type crystal silicon layer, a first passive antireflection film is formed by the front coating of the protective film, a positive electrode is arranged on the front of the first passive antireflection film, and a RE doped n + back field is arranged on the back of the n-type crystal silicon layer The second passive antireflection film is formed by coating on the back of the layer and N + back field layer. The negative electrode is arranged on the back of the second passive antireflection film. The battery of the utility model has compact structure, simple manufacturing process, low cost and effectively improves the battery efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种N型双面太阳能电池
本技术涉及一种太阳能电池,具体涉及一种N型双面太阳能电池,属于光伏领域。
技术介绍
在当今能源短缺的情形下,太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源,并受到了广泛的关注,太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置,只要被光照到,瞬间就可输出电压及电流,在物理学上称为太阳能光伏,简称光伏,以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流,而以光化学效应工作的湿式太阳能电池则还处于萌芽阶段,在太阳能电池所使用的基底材料中,N型硅比P型硅具有更长的少子寿命,N型硅的光衰减性能则更为稳定,因此,N型双面太阳能电池片的相比P型双面太阳能电池片优势较大,能有效的提高高现有产线的效率、降低企业生产的成本。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是,克服现有技术的缺点,提供一种N型双面太阳能电池,该电池结构紧凑,制作工艺简单,成本低廉,有效提高了电池效率。为了解决以上技术问题,本技术提供一种N型双面太阳能电池,包括N型晶体硅层,N型晶体硅层的正面设置一层p+型晶体硅层,p+型晶体硅层的正面镀膜形成一层保护膜,保护膜的正面镀膜形成第一钝化减反膜,第一钝化减反膜的正面设置有正电极;N型晶体硅层的背面设置重掺杂的N+背场层,N+背场层的背面镀膜形成第二钝化减反膜,第二钝化减反膜的背面设置有负电极。本技术进一步限定的技术方案是:进一步的,前述N型双面太阳能电池中,N型晶体硅层为电阻率为0.8-2Ω/cm的N型硅片。前述N型双面太阳能电池中,N型晶体硅层的正反面分别为制绒面。前述N型双面太阳能电池中,p+型晶体硅层的方阻为70-90Ω/□。前述N型双面太阳能电池中,重掺杂的N+背场层的方阻为30-70Ω/□。前述N型双面太阳能电池中,保护膜为SiNx保护膜。前述N型双面太阳能电池中,第一钝化减反膜为SiO2-Al2O3-SiNX钝化减反膜,其中SiO2膜厚度为50-70nm,Al2O3膜厚度为5-30nm,SiNX膜厚度为30-65nm。前述N型双面太阳能电池中,第二钝化减反膜为SiNx钝化减反膜,厚度为40-80nm。前述N型双面太阳能电池中,正电极及负电极均为银铝电极。本技术的有益效果是:本技术的N型双面电池结构紧凑,其制作方法工艺简单,有效地提高了电池的效率;此外,本技术的N型双面电池的钝化层不会破坏PN结。附图说明图1为本技术实施例的结构示意图;图中:1-N型晶体硅层,2-p+型晶体硅层,3-保护膜,4-第一钝化减反膜,5-正电极,6-N+背场层,7-第二钝化减反膜,8-负电极。具体实施方式实施例1本实施例提供的一种N型双面太阳能电池,结构如图1所示,包括N型晶体硅层1,N型晶体硅层1的正面设置一层p+型晶体硅层2,p+型晶体硅层2的正面镀膜形成一层保护膜3,保护膜3的正面镀膜形成第一钝化减反膜4,第一钝化减反膜4的正面设置有正电极5;N型晶体硅层1的背面设置重掺杂的N+背场层6,N+背场层6的背面镀膜形成第二钝化减反膜7,第二钝化减反膜7的背面设置有负电极8。在本实施例中,N型晶体硅层1为电阻率为0.8-2Ω/cm的N型硅片;N型晶体硅层1的正反面分别为制绒面。在本实施例中,p+型晶体硅层2的方阻为70-90Ω/□;重掺杂的N+背场层6的方阻为30-70Ω/□。在本实施例中,保护膜3为SiNx保护膜;述第一钝化减反膜4为SiO2-Al2O3-SiNX钝化减反膜,其中SiO2膜厚度为50-70nm,Al2O3膜厚度为5-30nm,SiNX膜厚度为30-65nm;第二钝化减反膜7为SiNx钝化减反膜,厚度为40-80nm;的正电极5及负电极8均为银铝电极。具体实施时,(1)N型晶体硅层双面制绒:选择电阻率为0.8-2Ω/cm的N型硅片作为N型晶体硅层,对N型晶体硅层的上表面、下表面进行碱制绒,选用氢氧化钠溶液进行碱制绒,上、下表面各去除0.4g-0.6g绒面,在300nm-1200nm范围内上、下表面的绒面反射率可达12%-15%;(2)对N型晶体硅层的正面进行单面硼扩散,形成N型晶体硅层:在硼源体系扩散炉中在900-1200℃的温度下,采用三溴化硼进行硼扩散,扩散时间40-100min。扩散方阻控制范围是70-90Ω/□;(3)对N型晶体硅层进行刻蚀、清洗硼硅玻璃层:采用浓度较低的氢氟酸和硝酸的混合溶液对硅基的背表面和边缘进行刻蚀;去掉背面和侧面多余的PN;然后使用5-15%的HF酸去正面的硼硅玻璃层,清洗时间50-150s;(4)对N型晶体硅层的背面进行单面磷扩散,重掺杂的N+背场层:扩散温度为800~900℃,扩散时间为50min~90min,扩散氧气流量500-2200SCCM,扩散方阻为30~70Ω/□;(5)对N型晶体硅层进行刻蚀、清洗磷硅玻璃层:使用5-15%的HF酸去正面的硼硅玻璃层,清洗时间50-100s;(6)对N型晶体硅层正背面镀钝化层和减反膜:在硅基前表面即PN结一侧采用等离子化学气相沉积(PECVD)的方法制备SiO2-Al2O3-SiNX钝化减反膜,厚度分别是50~70nm、5~30n和30~65nm;在硅基背表一侧采用等离子化学气相沉积(PECVD)的方法制备形成SiNx钝化减反膜,厚度为40-80nm。(7)制备N型硅基电池的正、负极:采用丝网印刷技术在电池的正、背面印刷银铝浆料形成电池的正级和负级;经烧结过后形成N型双面。除上述实施例外,本技术还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本技术要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N型双面太阳能电池,其特征在于:包括N型晶体硅层(1),所述N型晶体硅层(1)的正面设置一层p+型晶体硅层(2),所述p+型晶体硅层(2)的正面镀膜形成一层保护膜(3),所述保护膜(3)的正面镀膜形成第一钝化减反膜(4),所述第一钝化减反膜(4)的正面设置有正电极(5);/n所述N型晶体硅层(1)的背面设置重掺杂的N

【技术特征摘要】
1.一种N型双面太阳能电池,其特征在于:包括N型晶体硅层(1),所述N型晶体硅层(1)的正面设置一层p+型晶体硅层(2),所述p+型晶体硅层(2)的正面镀膜形成一层保护膜(3),所述保护膜(3)的正面镀膜形成第一钝化减反膜(4),所述第一钝化减反膜(4)的正面设置有正电极(5);
所述N型晶体硅层(1)的背面设置重掺杂的N+背场层(6),所述N+背场层(6)的背面镀膜形成第二钝化减反膜(7),所述第二钝化减反膜(7)的背面设置有负电极(8)。


2.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池,其特征在于:所述N型晶体硅层(1)为电阻率为0.8-2Ω/cm的N型硅片。


3.根据权利要求2所述的N型双面太阳能电池,其特征在于:所述N型晶体硅层(1)的正反面分别为制绒面。


4.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池,其特征在于:所述p+型晶...

【专利技术属性】
技术研发人员:赫汉葛祖荣
申请(专利权)人:浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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