The utility model relates to an n-type double-sided solar cell, which comprises an n-type crystal silicon layer, a p + type crystal silicon layer is arranged on the front of the n-type crystal silicon layer, a protective film is formed by the front coating of the P + type crystal silicon layer, a first passive antireflection film is formed by the front coating of the protective film, a positive electrode is arranged on the front of the first passive antireflection film, and a RE doped n + back field is arranged on the back of the n-type crystal silicon layer The second passive antireflection film is formed by coating on the back of the layer and N + back field layer. The negative electrode is arranged on the back of the second passive antireflection film. The battery of the utility model has compact structure, simple manufacturing process, low cost and effectively improves the battery efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种N型双面太阳能电池
本技术涉及一种太阳能电池,具体涉及一种N型双面太阳能电池,属于光伏领域。
技术介绍
在当今能源短缺的情形下,太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源,并受到了广泛的关注,太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置,只要被光照到,瞬间就可输出电压及电流,在物理学上称为太阳能光伏,简称光伏,以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流,而以光化学效应工作的湿式太阳能电池则还处于萌芽阶段,在太阳能电池所使用的基底材料中,N型硅比P型硅具有更长的少子寿命,N型硅的光衰减性能则更为稳定,因此,N型双面太阳能电池片的相比P型双面太阳能电池片优势较大,能有效的提高高现有产线的效率、降低企业生产的成本。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是,克服现有技术的缺点,提供一种N型双面太阳能电池,该电池结构紧凑,制作工艺简单,成本低廉,有效提高了电池效率。为了解决以上技术问题,本技术提供一种N型双面太阳能电池,包括N型晶体硅层,N型晶体硅层的正面设置一层p+型晶体硅层,p+型晶体硅层的正面镀膜形成一层保护膜,保护膜的正面镀膜形成第一钝化减反膜,第一钝化减反膜的正面设置有正电极;N型晶体硅层的背面设置重掺杂的N+背场层,N+背场层的背面镀膜形成第二钝化减反膜,第二钝化减反膜的背面设置有负电极。本技术进一步限定的技术方案是:进一步的,前述N型双面太阳能电池中,N型晶体硅层为电阻率为0.8-2Ω/cm的N型硅片。前述N型双面太阳能电池中,N型晶体硅 ...
【技术保护点】
1.一种N型双面太阳能电池,其特征在于:包括N型晶体硅层(1),所述N型晶体硅层(1)的正面设置一层p+型晶体硅层(2),所述p+型晶体硅层(2)的正面镀膜形成一层保护膜(3),所述保护膜(3)的正面镀膜形成第一钝化减反膜(4),所述第一钝化减反膜(4)的正面设置有正电极(5);/n所述N型晶体硅层(1)的背面设置重掺杂的N
【技术特征摘要】
1.一种N型双面太阳能电池,其特征在于:包括N型晶体硅层(1),所述N型晶体硅层(1)的正面设置一层p+型晶体硅层(2),所述p+型晶体硅层(2)的正面镀膜形成一层保护膜(3),所述保护膜(3)的正面镀膜形成第一钝化减反膜(4),所述第一钝化减反膜(4)的正面设置有正电极(5);
所述N型晶体硅层(1)的背面设置重掺杂的N+背场层(6),所述N+背场层(6)的背面镀膜形成第二钝化减反膜(7),所述第二钝化减反膜(7)的背面设置有负电极(8)。
2.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池,其特征在于:所述N型晶体硅层(1)为电阻率为0.8-2Ω/cm的N型硅片。
3.根据权利要求2所述的N型双面太阳能电池,其特征在于:所述N型晶体硅层(1)的正反面分别为制绒面。
4.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池,其特征在于:所述p+型晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:赫汉,葛祖荣,
申请(专利权)人:浙江昱辉阳光能源江苏有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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