一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法技术

本发明专利技术公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，包括以下步骤：（1）对每一个低功率芯片加贴一个标签，每个标签对应一个ID，该标签至少包括以下信息：a、关键工序的时间，b、沉积炉批次，c、电极位置的格式编码；（2）将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；（3）需要分析某个低功率芯片时，通过对该低功率芯片的ID进行分析，提取出其标签上的所有电性能测试结果，以数据列表或者图表方式呈现。通过本发明专利技术能够得到有效的、有针对性的、准确的、完整的直观信息，显著提高了分析处理非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片的效率和准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及一种能够得到有针对性的直观信息的非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法。
技术介绍
对于非晶硅薄膜太阳能电池，一般采用多室连续沉积或者单腔室批量沉积，对于这两种情况，共同点是每一个电池的性能都与其批次相关，因此在分析某个不良芯片时，其相关芯片的性能信息对分析过程和处理方法非常重要。目前的非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法存在如下缺陷 I、低功率芯片信息没有针对性从现有MES系统或者生产记录表并不能提供针对低功率芯片的特定信息，而需要人员从大量数据中手工筛选，比对后得到准确的信息；2、低功率芯片信息不完整现有MES系统或者生产记录表直观呈现的信息针对常规产品，对于不良品分析需要的相关信息并未包含完整，比如同一电极的孪生片，同一炉次的相关产品在不同阶段的信息并未包含；3、低功率芯片信息不直观或者不可以直接使用对低功率芯片的电性能用大量数字形式显示，而非图表等直观显示，并且数字可能不能直接转移，如复制、打印等，不利于低功率芯片的分析处理过程的顺利进行；4、分析处理过程效率低、准确性低由于现有手段获取的信息没有针对性、不完整、不直观，导致技术人员需要耗费本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）对每一个低功率芯片加贴一个标签，每个标签对应一个ID，该标签至少包括以下信息：a、关键工序的时间，b、沉积炉批次，c、电极位置的格式编码；（2）将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；（3）需要分析某个低功率芯片时，通过对该低功率芯片的ID进行分析，提取出其标签上的所有电性能测试结果，以数据列表或者图表方式呈现。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凯，董德庆，庄春泉，汪涛，唐茜，
申请(专利权)人：四川汉能光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：