切割/芯片接合薄膜制造技术

本发明专利技术提供即使在工件为薄型的情况下将工件切割时的保持力与将通过切割得到的芯片状工件和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良的切割/芯片接合薄膜。本发明专利技术的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10~30摩尔%范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70~90摩尔%范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及将用于固着芯片状工件(半导体芯片等)与电极构件的胶粘剂在切割前附着在工件(半导体晶片等)上的状态下供给工件切割的切割/芯片接合薄膜。
技术介绍
形成有电路图案的半导体晶片(工件)，在根据需要通过背面研磨而调节厚度后，切割为半导体芯片(芯片状工件)(切割工序)。在切割工序中，为了除去切割层，一般在适度的液压(通常约2kg/cm2)下清洗半导体晶片。然后，将前述半导体芯片利用胶粘剂固着到弓I线框等被粘物上(安装工序)后，移至接合工序。在所述安装工序中，将胶粘剂涂布到弓I线框或半导体芯片上。但是，该方法中胶粘剂层的均匀化比较困难，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体晶片并且还提供安装工序所需要的芯片固着用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜(例如，参考专利文献I)。专利文献I中记载的切割/芯片接合薄膜，在支撑基材上可剥离地设置有胶粘剂层。即，在胶粘剂层的保持下切割半导体晶片后，拉伸支撑基材将半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收后通过该胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。对于此种切割/芯片接合薄膜的胶粘剂层，希望具有对半导体晶片的良好保持力和能够将切割后的半导体芯片与胶粘剂层一体地从支撑基材上剥离的良好剥离性，以不产生不能切割或尺寸误差等问题。但是，使该两种特性平衡决不是件容易的事。特别是像用旋转圆刀等切割半导体晶片的方式等，要求胶粘剂层具有大的保持力的情况下，难以得到满足上述特性的切割/芯片接合薄膜。因此，为了解决这样的问题，提出了各种改良法(例如，参考专利文献2)。在专利文献2中，提出了在支撑基材与胶粘剂层之间介有可紫外线固化的粘合剂层，将其切割后进行紫外线固化，使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力下降，通过两者间的剥离而容易地拾取半导体芯片的方法。但是，即使通过该改良法，有时也难以得到使切割时的保持力与之后的剥离性良好地平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在得到IOmmXlOmm以上的大型半导体芯片时，由于其面积大，因此通过一般的芯片接合机不能容易地拾取半导体芯片。专利文献I :日本特开昭60-57642号公报专利文献2 日本特开平2-248064号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题而进行，其目的在于提供具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，所述切割/芯片接合薄膜即使在半导体晶片为薄型的情况下，将该薄型工件切割时的保持力与将通过切割得到的半导体芯片和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良。本专利技术人为了解决上述现有问题，对切割/芯片接合薄膜进行了研究。结果发现，切割薄膜中所含的多官能单体成分物质扩散到芯片接合薄膜中，由此切割薄膜与芯片接合薄膜的交界面消失，由此拾取性下降，并且完成了本专利技术。S卩，本专利技术的切割/芯片接合薄膜，为了解决上述问题，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在1(Γ30摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在7(Γ90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。本专利技术的切割薄膜中，由于使用丙烯酸酯作为主单体，因此可以实现剥离力的下降，结果，可以实现良好的拾取性。另外，通过将含羟基单体的含量设定为10摩尔％以上， 抑制紫外线照射后的交联不足。结果，例如可以防止切割时对粘贴在粘合剂层上的切割环产生胶糊残留。另一方面，通过使所述含量为30摩尔％以下，可以防止紫外线照射交联过度进行而难以剥离从而使拾取性下降。另外，本专利技术中，由于采用具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物代替多官能单体，因此不会发生该多官能单体在芯片接合薄膜中物质扩散的情况。结果，可以防止切割薄膜与芯片接合薄膜的边界面消失，可以实现更好的拾取性。前述构成中，所述丙烯酸酯优选为CH2=CHCOOr(式中，R为碳原子数6 10的烷基)。使用CH2=CHCOOr作为丙烯酸酯时，通过使用式中的烷基R的碳原子数为6 10的范围内的丙烯酸酯，可以防止剥离力过大而使拾取性下降。所述含羟基单体优选为选自由(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯和(甲基)丙烯酸-(4-羟甲基环己基)甲酯组成的组中的至少任意一种。另外，所述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物，优选为选自2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯的至少任意一种。另外，所述聚合物的重均分子量优选在35万至100万的范围内。通过使重均分子量为35万以上，可以防止形成低分子量聚合物，由此，例如可以防止切割时从粘合剂层上粘贴的切割环上产生剥离。另外，可以防止紫外线照射后的交联不足，因此在从粘合剂层上剥离切割环(夕^ '> ^ >々'')时，可以防止产生胶糊残留。另一方面，通过使重均分子量为100万以下，可以提高在基材上形成粘合剂层时的作业性。这是因为，粘合剂层的形成例如可以通过在基材上涂布包含所述聚合物的粘合剂组合物溶液后使其干燥来进行，如果聚合物的重均分子量超过100万，则粘合剂组合物溶液的粘度过大，因此该聚合物的聚合以及涂布时的作业性变差。另外，优选所述粘合剂层的紫外线照射前的23°C下的拉伸弹性模量在O. Γ3. 5MPa的范围内，紫外线照射后的23°C下的拉伸弹性模量在7 IOOMPa的范围内。通过将紫外线照射前的拉伸弹性模量(23°C)设定为O. 4MPa以上，使切割半导体晶片时半导体芯片的固定良好，结果，可以防止碎片的产生。另外，将切割环剥离时，可以防止产生胶糊残留。另一方面，通过将拉伸弹性模量(23°C)设定为3. 5MPa以下，可以防止切割时产生芯片飞散。另外，通过将紫外线照射后的拉伸弹性模量(23°C)设定为7MPa以上，可以提高拾取性。所述粘合剂层优选不含丙烯酸。由此，可以防止粘合剂层与芯片接合薄膜的反应或相互作用，可以进一步提高拾取性。附图说明图I是表示本专利技术的一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖面图。图2是表示本专利技术的另一实施方式的另一切割/芯片接合薄膜的示意剖面图。图3是表示通过所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安装半导体芯片的例 子的示意剖面图。符号说明I 基材2粘合剂层3芯片接合薄膜4半导体晶片5半导体芯片6被粘物7 焊线8密封树脂9 隔片10、11切割/芯片接合薄膜具体实施例方式(切割/芯片接合薄膜)参考图I和图2对本专利技术的实施方式进行说明。图I是表示本实施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖面图。图2是表示本实施方式的另一切割/芯片接合薄膜的示意剖面图。其中，省略了不需要说明的部分，并且存在为容易说明而扩大或缩小等进行图示的部分。如图I所示，切割/芯片接合薄膜10的构成如下具有在基材I上设有粘合剂层2的切割薄膜和设置在该粘合剂层2上的芯片接合薄膜3。另外，本专利技术如图2所示，也可以是仅在半导体晶片粘贴部分上形成有芯片接合薄膜3’的构成。所述基材I具有紫外线透射性，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10~30摩尔%范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70~90摩尔%范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述丙烯酸酯为CH2=CHCOOR，式中，R为碳原子数6~10的烷基，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂和丙烯酸类树脂而构成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：神谷克彦，松村健，村田修平，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：