本发明专利技术涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置。本发明专利技术的课题在于提供可以在不降低生产率的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。一种芯片接合薄膜，其具有胶粘剂层和由金属箔构成的电磁波屏蔽层，或者一种芯片接合薄膜，其具有胶粘剂层和通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有该芯片接合薄膜的半导体装置。
技术介绍
近年来，为了应对半导体装置的微细化、高功能化的要求，在半导体芯片(半导体元件)主面的整个区域上配置的电源线的布线宽度或信号线间的间隔正在逐渐变窄。因此，阻抗增加、异构节点的信号线间产生信号干涉，在半导体芯片的操作速度、工作电压容限、耐静电击穿能力等方面，成为阻碍充分发挥性能的原因。以往，为了解决上述问题，提出了层叠半导体的封装结构(例如，参考专利文献1 和专利文献2)。另一方面，伴随近年来的电子部件的多样化，从半导体芯片释放的电磁波(噪声) 的频域也变得多样，在如所述的封装结构那样层叠半导体芯片的情况下，从一个半导体芯片释放的电磁波有可能会对另一个半导体芯片、衬底、相邻的器件、封装等产生不利影响。在专利文献3中，公开了在由电绝缘层和铁氧体层构成的层叠体的最外的两个面上具有粘合层的半导体元件胶粘用电磁波屏蔽片。另外，专利文献3中，记载了利用该半导体元件胶粘用电磁波屏蔽片，通过铁氧体层的磁损耗特性而使电信号漏泄衰减。另外，在专利文献4中，公开了在芯片焊盘与半导体芯片的背面之间配置有第一磁屏蔽材料，在所述半导体芯片的主面上配置有第二磁屏蔽材料的半导体装置。另外，在专利文献4中，记载了所述半导体装置提高了对于外部磁场的耐受性。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开昭55-111151号公报专利文献2 日本特开2002-261233号公报专利文献3 日本专利第4133637号公报专利文献4 日本特开2010-153760号公报
技术实现思路
专利文献3的半导体元件胶粘用电磁波屏蔽片，在其制造工序中，通过将电绝缘层浸渍到含有1 2+的镀敷反应液中，进行水解等以形成铁氧体层，然后设置粘合剂来制造。 但是，这样的制造工序烦琐，并且存在生产率不足的问题。另外，专利文献4的半导体装置，通过在半导体晶片的背面粘贴具有胶粘性的第一薄膜材料，然后通过所述第一薄膜剂粘贴第一磁屏蔽材料，然后在所述第一磁屏蔽材料的背面粘贴具有胶粘性的第二薄膜材料的工序来制造。但是，这样的制造工序，与现有的半导体装置的制造相比，追加了粘贴第一磁屏蔽材料的工序和粘贴第二薄膜材料的工序，因此制造工序数增多，从而存在生产率不足的问题。本专利技术人等为了解决所述的现有问题，对芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、以及芯片接合薄膜的制造方法进行了研究。结果发现，通过采用以下的构成，可以在不使生产率下降的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术的芯片接合薄膜，其特征在于，具有胶粘剂层和由金属箔构成的电磁波屏蔽层。根据本专利技术的芯片接合薄膜，具有由金属箔构成的电磁波屏蔽层，因此能够阻断电磁波。因此，可以减少从一个半导体元件释放的电磁波对另一个半导体元件、衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。另外，本专利技术的芯片接合薄膜，只要在胶粘剂层上粘贴由金属箔构成的电磁波屏蔽层就可以制造，因此生产率优良。另外，由于本专利技术的芯片接合薄膜具有电磁波屏蔽层，因此在制造半导体装置时，无需追加形成电磁波屏蔽层的工序。即，如果使用本专利技术的芯片接合薄膜进行芯片接合，则可以在不追加电磁波屏蔽层形成工序的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。结果，可以在不增加半导体装置制造工序的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。另外，本专利技术的另一种芯片接合薄膜，其特征在于，具有胶粘剂层和通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层。根据本专利技术的另一种芯片接合薄膜，由于具有通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层，因此能够阻断电磁波。因此，可以减少从一个半导体元件释放的电磁波对另一个半导体元件、 衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。另外，本专利技术的另一种芯片接合薄膜，只要在胶粘剂层上通过蒸镀形成电磁波屏蔽层即可，因此生产率优良。另外，由于本专利技术的另一种芯片接合薄膜具有电磁波屏蔽层，因此在制造半导体装置时，无需追加形成电磁波屏蔽层的工序。 即，如果使用本专利技术的另一种芯片接合薄膜进行芯片接合，则可以在不追加电磁波屏蔽层形成工序的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。结果，可以在不增加半导体装置制造工序的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。另外，本专利技术的另一种芯片接合薄膜，具有通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层，因此在刀片切割时不容易产生切削碎屑，可以防止半导体芯片的污染。另外，可以抑制刀片的损伤。另外，本专利技术的切割/芯片接合薄膜，为解决所述问题的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，芯片接合薄膜层叠在切割薄膜上，所述切割薄膜具有在基材上层叠有粘合剂层的结构，所述芯片接合薄膜层叠在所述切割薄膜的粘合剂层上。另外，本专利技术的芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤形成胶粘剂层的步骤；和在所述胶粘剂层上粘贴由金属箔构成的电磁波屏蔽层的步骤。通过所述构成制造的芯片接合薄膜，具有由金属箔构成的电磁波屏蔽层，因此能够阻断电磁波。因此，可以减少从一个半导体元件释放的电磁波对另一个半导体元件、衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。另外，根据所述构成，只要在胶粘剂层上粘贴由金属箔构成的电磁波屏蔽层就可以制造具有电磁波屏蔽层的芯片接合薄膜，因此生产率优良。另夕卜，由于通过所述构成制造的芯片接合薄膜具有电磁波屏蔽层，因此在制造半导体装置时， 无需追加形成电磁波屏蔽层的工序。即，如果使用该芯片接合薄膜进行芯片接合，则可以在不追加电磁波屏蔽层形成工序的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。结果，可以在不增加半导体装置制造工序的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。另外，本专利技术的另一种芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤形成胶粘剂层的步骤；和在所述胶粘剂层上通过蒸镀形成电磁波屏蔽层的步骤。通过所述构成制造的芯片接合薄膜，由于具有通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层，因此能够阻断电磁波。因此，可以减少从一个半导体元件释放的电磁波对另一个半导体元件、 衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。另外，根据所述构成，在胶粘剂层上通过蒸镀形成电磁波屏蔽层，因此生产率优良。另外，通过所述构成制造的芯片接合薄膜具有电磁波屏蔽层，因此在制造半导体装置时，无需追加形成电磁波屏蔽层的工序。即，如果使用该芯片接合薄膜进行芯片接合，则可以在不追加电磁波屏蔽层形成工序的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。结果，可以在不增加半导体装置制造工序的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。另外，通过所述构成制造的芯片接合薄膜，具有通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层，因此在刀片切割时不容易产生切削碎屑，可以防止半导体芯片的污染。另外，可以抑制刀片的损伤。另外，本专利技术的半导体装置，为了解决所述问题，其特征在于，具有所述芯片接合薄膜。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式的芯片接合薄膜的示意剖视图。图2是表示本专利技术的另一个实施方式的芯片接合薄膜的示意剖视图。图3是表示层叠有图2所示的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜的一例的示意剖视图。图4是表示层叠有图2所示的芯片接合薄膜的另一个切割/芯片接合薄膜的一例的示意剖视图。图5是表示通过图3所示的切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安装半导体芯片的例子的示意剖视图。图6是表示通过图3所示的切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜三维安装半本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：宇圆田大介，松村健，井上刚一，盛田美希，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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