一种太阳能电池片及光伏组件制造技术

本实用新型专利技术所提供的太阳能电池片，所述太阳能电池片从正面到背面依次包括正面电极、掺杂扩散层、基体硅、复合钝化层及背面电极；所述正面电极与所述掺杂扩散层电连接；所述扩散掺杂层与所述基体硅形成PN结；所述复合钝化层由内到外包括层叠设置的氮氧化硅层及多层氮化硅层；所述背面电极穿过所述复合钝化层与所述基体硅电连接。本实用新型专利技术在保证电池片背面拥有较小界面态及良好的氢钝化特性的同时，避免使用设备要求较高的氧化铝层作为钝化层，大大降低电池片的度电成本，提升了电池片的生产效率，同时还通过设置多层氮化硅层，使长波太阳光进行多段内反射，大大提升了电池片的光电转化效率。本实用新型专利技术同时还提供了具有上述优点的光伏组件。的光伏组件。的光伏组件。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池片及光伏组件


[0001]本技术涉及光伏发电领域，特别是涉及一种太阳能电池片及光伏组件。

技术介绍

[0002]作为太阳能光电利用中发展最快的领域之一，晶体硅电池的技术发展颇受瞩目，但其度电成本的限制导致市场竞争不足，解决这一问题的方法归根结底是技术创新，人们不断研制开发更具潜力的电池结构，优化工艺制程，从而提升晶硅电池效益。
[0003]其中，双面PERC电池由于其优秀的光电转换率尤其受业界关注，而目前的PERC电池片制程中为了保证背面较小的界面态、长波光的内反射以及H 钝化要求，一般会采用氧化铝及氮化硅的组合结构对背面进行处理，但目前为了实现较好的氧化铝层设置效果，通常采用原子层沉积(ALD)技术进行设置，但原子层沉积设备成本高，执行效率低下，会在提升电池度电成本的同时，降低电池片的生产效率。
[0004]因此，如何在提升电池片生产效率，且保证背面钝化效果的同时，降低生产成本，是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种太阳能电池片及光伏组件，以解决现有技术中太阳能电池钝化工艺要求高，成本高的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供一种太阳能电池片，所述太阳能电池片从正面到背面依次包括正面电极、掺杂扩散层、基体硅、复合钝化层及背面电极；
[0007]所述正面电极与所述掺杂扩散层电连接；
[0008]所述掺杂扩散层与所述基体硅形成PN结；
[0009]所述复合钝化层由内到外包括层叠设置的氮氧化硅层及多层氮化硅层；
[0010]所述背面电极穿过所述复合钝化层与所述基体硅电连接。
[0011]优选地，在所述的太阳能电池片中，所述氮氧化硅层包括多个层叠设置的氮氧化硅子层。
[0012]优选地，在所述的太阳能电池片中，多个所述氮氧化硅子层的折射率由内到外逐渐递减。
[0013]优选地，在所述的太阳能电池片中，所述氮氧化硅层的折射率大于所述氮化硅层的折射率。
[0014]优选地，在所述的太阳能电池片中，所述氮氧化硅层为折射率范围为1.6 到2.5之间的外延层。
[0015]优选地，在所述的太阳能电池片中，多层所述氮化硅层的折射率由内到外逐渐递减。
[0016]优选地，在所述的太阳能电池片中，所述氮氧化硅层的厚度范围为30纳米到120纳米之间，包括端点值。
[0017]优选地，在所述的太阳能电池片中，所述氮化硅层为折射率范围为1.9到 2.4之间的外延层。
[0018]优选地，在所述的太阳能电池片中，所述太阳能电池片的正面为绒面。
[0019]一种光伏组件，所述光伏组件包括上述任一种所述的太阳能电池片。
[0020]本技术所提供的太阳能电池片，所述太阳能电池片从正面到背面依次包括正面电极、掺杂扩散层、基体硅、复合钝化层及背面电极；所述正面电极与所述掺杂扩散层电连接；所述掺杂扩散层与所述基体硅形成PN结；所述复合钝化层由内到外包括层叠设置的氮氧化硅层及多层氮化硅层；所述背面电极穿过所述复合钝化层与所述基体硅电连接。本技术在保证电池片背面拥有较小界面态及良好的氢钝化特性的同时，避免使用设备要求较高的氧化铝层作为钝化层，而是采用了对制作工艺要求较低的氮氧化硅层，大大降低电池片的度电成本，提升了电池片的生产效率，同时还通过设置多层氮化硅层，使长波太阳光进行多段内反射，大大提升了电池片的光电转化效率。本技术同时还提供了一种具有上述有益效果的光伏组件。
附图说明
[0021]为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本技术提供的太阳能电池片的一种具体实施方式的结构示意图；
[0023]图2为本技术提供的太阳能电池片的另一种具体实施方式的结构示意图；
[0024]图3为本技术提供的太阳能电池片的又一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0025]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]本技术的核心是提供一种太阳能电池片，其一种具体实施方式的结构示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，所述太阳能电池片从正面到背面依次包括正面电极10、掺杂扩散层20、基体硅30、复合钝化层40及背面电极50；
[0027]所述正面电极10与所述掺杂扩散层20电连接；
[0028]所述掺杂扩散层与所述基体硅30形成PN结；
[0029]所述复合钝化层40由内到外包括层叠设置的氮氧化硅层41及多层氮化硅层42；
[0030]所述背面电极50穿过所述复合钝化层40与所述基体硅30电连接。
[0031]优选地，所述氮氧化硅层41的折射率由内到外逐渐递减；加强本具体实施方式中的复合钝化层40的内散射能力。
[0032]更进一步地，所述氮氧化硅层41包括多个层叠设置的氮氧化硅子层，且相邻的所述氮氧化硅子层的折射率逐渐降低。在设置折射率梯度的基础上，进一步将所述氮氧化硅
层分为多个子层，可提供更多的反射面，进一步提升太阳光中的长波成分在电池片内的内反射效率，提升电池的光电转换效率。
[0033]将所述氮氧化硅层41或所述氮化硅层42进一步细分成多个折射率不同的子层，可根据太阳能电池的具体使用环境及设计目的进行进一步调整，具体可见下文。
[0034]作为一种具体实施方式，所述氮氧化硅层41为折射率范围为1.6到2.5 之间的外延层，所述氮氧化硅的折射率可为1.60、2.98或2.50之间的任一个；更进一步地，所述氮氧化硅层41的厚度范围为30纳米到120纳米之间，包括端点值，如30.0纳米、113.5纳米或120.0纳米间的任一个。
[0035]另外，所述氮化硅层42为折射率范围为1.9到2.4之间的外延层，所述氮化硅层42的折射率可为1.90、2.00或2.40间的任一个，包括端点值；更进一步地，所述氮化硅层42的厚度范围为60纳米到90纳米之间，包括端点值，如60.0纳米、75.6纳米或90.0纳米中的任一个。当然，上述各个层级结构的参数可根据实际情况作相应改动。
[0036]本技术所提供的太阳能电池片，所述太阳能电池片从正面到背面依次包括正面电极10、掺杂扩散层20、基体硅30、复合钝化层40及背面电极50；所述正面电极10与所述掺杂扩散层20电连接；所述掺杂扩散层与所述基体硅 30形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片从正面到背面依次包括正面电极、掺杂扩散层、基体硅、复合钝化层及背面电极；所述正面电极与所述掺杂扩散层电连接；所述掺杂扩散层与所述基体硅形成PN结；所述复合钝化层由内到外包括层叠设置的氮氧化硅层及多层氮化硅层；所述背面电极穿过所述复合钝化层与所述基体硅电连接。2.如权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述氮氧化硅层包括多个层叠设置的氮氧化硅子层。3.如权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，多个所述氮氧化硅子层的折射率由内到外逐渐递减。4.如权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述氮氧化硅层的折射率大于所述氮化硅层的折射率。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：李红博，何胜，单伟，徐伟智，曾鑫林，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：