一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器的结构自下而上依次为c面蓝宝石（Al2O3）层、Ga2O3薄膜层、SnO缓冲层、SnS薄膜层和Au/Ti电极对。该结构采用脉冲激光沉积（PLD）方法制备，具体如下：在c

【技术实现步骤摘要】
一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种氧化镓基异质结紫外探测器及其制备方法，属于半导体光电器件


技术介绍

[0002]紫外探测技术被广泛用于通信、天气预报、成像探测、战略导弹预警、水质监测、指纹识别等多个领域，市场份额不断上升。紫外光波段范围为100 nm
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380 nm，其中波长小于280 nm的紫外光被称为日盲紫外，其不受太阳光背景噪声影响，所制备的器件灵敏度高，在航空航天、军事等领域具有重要的应用价值。
[0003]氧化镓（Ga2O3）是一种超宽禁带半导体，禁带宽度高达4.5
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4.9 eV，紫外可见光透过率高、热稳定性优良，是研制日盲紫外探测器的理想材料。使用Ga2O3材料制备的光电器件具有工作电压小、能耗低、噪声小、误报率低、可高温使用等优点。
[0004]目前基于其他p型材料与Ga2O3形成异质结的器件往往存在界面处晶格失配、缺陷较多等缺点，导致器件性能下降。

技术实现思路

[0005]为了解决氧化镓基异质结紫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器，其特征在于：所述具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器，包括c
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Al2O3层、Ga2O3薄膜层，SnO缓冲层、SnS薄膜层和Au/Ti电极对，其中c
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Al2O3层作为衬底，Ga2O3薄膜层设置于衬底c
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Al2O3层上，SnO缓冲层设置于Ga2O3薄膜层上且覆盖Ga2O3薄膜层的部分区域，SnS薄膜层设置于SnO缓冲层上，Au/Ti电极对包括两个Au/Ti电极，一个设置于SnS薄膜层上，另一个设置于Ga2O3薄膜层上。2.根据权利要求1所述的一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器，其特征在于：所述Ga2O3薄膜层厚度50
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300 nm。3.根据权利要求1所述的一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器，其特征在于：所述SnS薄膜层厚度10
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50nm。4.根据权利要求1所述的一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器，其特征在于：所述SnO缓冲层厚度2
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10 nm。5.根据权利要求1
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4任一项所述一种具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）清洗c
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Al2O3衬底，获得表面洁净无杂质且无氧吸附的c
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Al2O3层；2）采用PLD方法在c
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Al2O3衬底表面沉积Ga2O3薄膜层；3）采用PLD方法在Ga2O3薄膜的部分区域沉积SnO缓冲层和SnS薄膜层；4）在具有缓冲层的SnS/Ga2O3异质结区及Ga2O3薄膜表面蒸镀Au/Ti电极，形成Au/Ti电极对，完成所述具有缓冲层的Ga2O3基异质结紫外探测器的制备。6.根据权利要求5所述的具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤1）具体为：将c
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Al2O3衬底分别使用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗，清洗结束后用N2吹干表面水分，并放入等离子体清洗机中用等离子体清洗，去除衬底表面吸附的有机物，获得洁净无杂质的表面；将清洗后的c
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Al2O3衬底放入真空腔室内，加热并保温，获得无杂质且无氧吸附的c
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Al2O3层。7.根据权利要求5所述的具有缓冲层的氧化镓基异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述的步骤2）具体为：将...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕斌，吴慧珊，张涛，潘新花，叶志镇，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：