【技术实现步骤摘要】
一种IBC结构锑化镓热光伏电池及其制备方法
[0001]本专利技术属于近红外热光伏电池
,涉及一种IBC结构锑化镓热光伏电池及其制备方法。
技术介绍
[0002]热光伏发电是将高温热辐射体的能量通过半导体PN结电池直接转换为电能的技术。相对于一般的太阳能光伏电池,由于可以利用热源,热光伏电池不受昼夜、季节或天气的影响,构造简单、不易发生故障,并且理论效率较高,单位面积能获得的功率更大,效率也更高。热光伏发电系统在很多方面可以进行利用,如可以采用特殊结构的热光伏器件,设计成红外探测器、夜视仪、红外数码相机中的光电元件等,其热光伏电池性能稳定且无噪音易便携,适合于各类场合使用。热光伏电池也可以与微型核反应堆组合,利用核能为热源,这种小型热光电式核电池,可以用作深空探测器的电力供应。在军事领域方面,热光伏电池以给军队一些必要设备提供小型的电力供应,在全自动无人哨站提供稳定的电力输出,热光伏电池也可以利用车辆尾气为热源,一定程度上为军用汽车供电。
[0003]早在上世界60年代,MIT的研究人员就给出了完整的热光伏系统 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IBC结构锑化镓热光伏电池,其特征在于,所述IBC结构锑化镓热光伏电池包括P型GaSb衬底和与P型GaSb衬底的背面接触的正负电极,所述P型GaSb衬底正面具有绒面结构且覆盖有一层减反膜,所述P型GaSb衬底的背部通过热扩散形成有P+型扩散层和N+型扩散层。2.根据权利要求1所述的IBC结构锑化镓热光伏电池,其特征在于,所述P型GaSb衬底的厚度为15μm~20μm。3.根据权利要求1所述的IBC结构锑化镓热光伏电池,其特征在于,所述P型GaSb衬底和正负电极之间设有SiO2钝化层,所述正负电极贯穿SiO2钝化层与P型GaSb衬底背部的P+型扩散层、N+型扩散层接触。4.根据权利要求1所述的IBC结构锑化镓热光伏电池,其特征在于,所述Si3N4减反膜的厚度为0.17μm~0.20μm。5.根据权利要求1所述的IBC结构锑化镓热光伏电池,其特征在于,所述P+型扩散层的厚度为0.07μm~0.14μm,所述N+型扩散层的厚度为0.1μm~0.2μm。6.一种如权利要求1~5任一权利要求所述的IBC结构锑化镓热光伏电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤,S1、将未掺杂的P型GaSb晶片进行清洗干燥;S2、在清洗干燥后的P型GaSb晶片的正面进行纹理刻蚀,然后在P型GaSb晶片的正面制备一层减反膜,所述减反膜的材质为Si3N4或Ta2O5;S3、在清洗干燥后的P型GaSb晶片的背面进行抛光,然后制备一层钝化层,之后定义出需要扩散的N+型区域,将此区域的钝化层去除,通过热扩散硒,在N+型区域形成N+型扩散层,所述钝化层的材质为SiO2或TiO2;S4、在P型GaSb晶片的背面补充沉积钝化层,使N+型扩散层所位于的N+型区域具有与其他区域平齐的钝化层,然后定义出需要扩散的P+型区域,将此区域的钝化层去除,通过热扩散锌,形成P+型扩散层;S5、再次在P型GaSb晶片的背部补充沉积钝化层,使P+型扩散层所位于的P+型区域具有与其他区域平...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤亮亮,徐伟辉,邵剑雄,刘永辉,袁承洋,
申请(专利权)人:兰州大学,
类型:发明
国别省市:
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