一种太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池的钝化层为透明导电层，所述透明导电层包括依次层叠设置的致密导电层和介孔导电层，所述介孔导电层与电极接触。本发明专利技术通过将钝化层替换为了依次层叠设置的致密导电层和介孔导电层，并且介孔导电层与电极接触，保证电子的传输，并且能够优化金属

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于电池
，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]TOPCon太阳能电池(隧穿氧化层钝化接触，Tunnel Oxide Passivated Contact)是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的太阳电池。在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。
[0003]在TOPCon电池结构中，电池背面SiN
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钝化层无法进行导电，在印刷电极时需要使得浆料烧穿SiN
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钝化层，使电极与底部多晶硅层接触而进行电子的传输，在这过程中会造成多晶硅层的破坏，进一步地，导致金属
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非金属接触区域钝化效果差，缺陷复合增加。
[0004]CN111106183A公开了一种利用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的钝化层为透明导电层，所述透明导电层包括依次层叠设置的致密导电层和介孔导电层，所述介孔导电层与电极接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述介孔导电层呈栅线结构或完全覆盖结构；优选地，所述介孔导电层呈栅线结构，所述介孔导电层的栅线结构与相邻电极的栅线结构相同，且所述介孔导电层的栅线结构宽度大于电极栅线结构宽度。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的背面钝化层为透明导电层，所述透明导电层为依次层叠设置的致密导电层和介孔导电层；优选地，所述太阳能电池的衬底背面依次层叠设置有隧穿层、多晶硅层、致密导电层、介孔导电层和背面电极；优选地，所述太阳能电池的衬底正面依次层叠设置有发射极层、正面钝化层和正面电极。4.根据权利要求1
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3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述致密导电层包括TiO2层、ZrO2层、Nb2O5层、硼掺杂ZnO层、铝掺杂ZnO层、IZO层、IWO层、ITO层、FTO层、SnO2层、Y2O3层、MgO层、B2O3层、GeO2层、La2O3层、CeO2层、Nd2O3层、Gd2O3层、Dy2O3层、Er2O3层、Yb2O3层、SrTiO3层、BaTiO3层、PbTiO3层、PbZrO3层或NdAlO3层中的一种或至少两种的组合；优选地，所述致密导电层的厚度为10～100nm。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述介孔导电层包括TiO2层、ZrO2层、Nb2O5层、硼掺杂ZnO层、铝掺杂ZnO层、IZO层、IWO层、ITO层、FTO层、SnO2层、Y2O3层、MgO层、B2O3层、GeO2层、La2O3层、CeO2层、Nd2O3层、Gd2O3层、Dy2O3层、E...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈艺绮，张学玲，陈达明，柳伟，陈奕峰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：