【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，特别是涉及钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池。
技术介绍
1、面对日益增长的能源需求与传统化石燃料短缺等问题，发展太阳能、风能等可再生能源已成为全球各国的共识。其中太阳能因具有清洁、无限、安全等显著优势，成为发展最快的可再生能源之一。其中，topcon电池由于其优异的发电效率以及较低的成本，得到了快速的发展。topcon电池背面的氧化硅以及多晶硅对于电池钝化效果至关重要，同时也影响着太阳能电池的转换效率。多晶硅/氧化硅结构的接触形成是目前topcon电池应用于工业规模的关键挑战之一。
2、相关技术中，topcon电池的钝化接触结构一般采用高质量的超薄氧化硅加掺杂多晶硅层，以实现电池全背面高效钝化和载流子选择性收集。
3、然而，由于太阳光透射到掺杂多晶硅层后，掺杂多晶硅层不能产生电子或者空穴，因此掺杂多晶硅层对光生电流没有贡献，使得钝化接触区域存在严重的寄生吸收，导致太阳能电池的电流较低。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对topcon电池的寄生吸收大的问题，提供一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池。
2、一种钝化接触结构，用于设置在硅基底的背面，所述钝化接触结构包括：
3、富硅氧化硅层；
4、富氧氧化硅层；以及
5、至少一层多晶硅层，其中一层所述多晶硅层为第一多晶硅层，所述第一多晶硅层设置在所述富硅氧化硅层和富氧氧化硅层之间。
6、在其中一个实施例中，其中一层所述多晶硅
7、在其中一个实施例中，所述富氧氧化硅层的厚度为1nm-2nm。
8、在其中一个实施例中，所述富硅氧化硅层的厚度为3nm-5nm。
9、在其中一个实施例中，所述多晶硅层的厚度为30nm-40nm。
10、一种太阳能电池，包括硅基底和所述的钝化接触结构，所述钝化接触结构设置在所述硅基底的背面，所述富硅氧化硅层设置在所述第一多晶硅层靠近所述硅基底的一侧。
11、一种钝化接触结构的制备方法，其中一层多晶硅层为第二多晶硅层，所述钝化接触结构的制备方法包括：在硅基底的背面依次沉积第二多晶硅层、富硅氧化硅层、第一多晶硅层以及富氧氧化硅层。
12、在其中一个实施例中，所述多晶硅层为n型多晶硅层，制备所述n型多晶硅层的方法为：将流量为30sccm-60sccm的硅烷、流量为300sccm-500sccm的氢气、流量为10sccm-40sccm的磷化氢采用pecvd法沉积，以得n型氢化非晶硅。
13、在其中一个实施例中，制备所述富硅氧化硅层的方法为：将流量为5sccm-15sccm的硅烷、流量为5sccm-20sccm的二氧化碳采用pecvd法沉积，以得到富硅氧化硅层。
14、在其中一个实施例中，制备所述富氧氧化硅层的方法为：将流量为3sccm-10sccm的硅烷、流量为30sccm-60sccm的二氧化碳采用pecvd法沉积，以得到富氧氧化硅层。
15、上述钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，通过在第一多晶硅层的一侧设置富氧氧化硅层，富氧氧化硅层中较大的含氧量，可以有效避免钝化层结晶，提升太阳能电池的钝化效果，从而在保持太阳能电池的钝化性能不变的基础上，能够减小多晶硅层的厚度，进而减小寄生吸收，提高太阳能电池的电流。同时，在第一多晶硅层的另一侧设置富硅氧化硅层，富硅氧化硅层能够阻碍作为电极的银晶体的进一步刻蚀，避免烧结后银浆穿透第一多晶硅层进而损坏pn结，进而能够避免由于减小多晶硅层的厚度引起的银浆易穿透多晶硅层损坏pn结的问题。且富硅氧化硅层中较大的硅含量可以提升电子传输能力，增强钝化接触结构的导电性，减小多层设计中非导电氧化硅层和中间层的电流传输产生额外的串联电阻。同时，第一多晶硅层位于富氧氧化硅层和富硅氧化硅层之间，用于减少富氧氧化硅层和富硅氧化硅层的接触电阻，提高电子的流通能力。
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1.一种钝化接触结构，其特征在于，用于设置在硅基底的背面，所述钝化接触结构包括：
2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，其中一层所述多晶硅层为第二多晶硅层，所述第二多晶硅层设置在所述富硅氧化硅层远离所述第一多晶硅层的一侧。
3.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述富氧氧化硅层的厚度为1nm-2nm。
4.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述富硅氧化硅层的厚度为3nm-5nm。
5.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为30nm-40nm。
6.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅基底和权利要求1-5任意一项所述的钝化接触结构，所述钝化接触结构设置在所述硅基底的背面，所述富硅氧化硅层设置在所述第一多晶硅层靠近所述硅基底的一侧。
7.一种如权利要求1-5任意一项所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，其中一层多晶硅层为第二多晶硅层，所述钝化接触结构的制备方法包括：在硅基底的背面依次沉积第二多晶硅层、富硅氧化硅层、第一多晶硅层以及富氧氧化硅层。p>
8.根据权利要求7所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层为n型多晶硅层，制备所述n型多晶硅层的方法为：将流量为30sccm-60sccm的硅烷、流量为300sccm-500sccm的氢气、流量为10sccm-40sccm的磷化氢采用PECVD法沉积，以得n型氢化非晶硅。
9.根据权利要求7所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，制备所述富硅氧化硅层的方法为：将流量为5sccm-15sccm的硅烷、流量为5sccm-20sccm的二氧化碳采用PECVD法沉积，以得到富硅氧化硅层。
10.根据权利要求7所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，制备所述富氧氧化硅层的方法为：将流量为3sccm-10sccm的硅烷、流量为30sccm-60sccm的二氧化碳采用PECVD法沉积，以得到富氧氧化硅层。
...【技术特征摘要】
1.一种钝化接触结构，其特征在于，用于设置在硅基底的背面，所述钝化接触结构包括：
2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，其中一层所述多晶硅层为第二多晶硅层，所述第二多晶硅层设置在所述富硅氧化硅层远离所述第一多晶硅层的一侧。
3.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述富氧氧化硅层的厚度为1nm-2nm。
4.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述富硅氧化硅层的厚度为3nm-5nm。
5.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为30nm-40nm。
6.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅基底和权利要求1-5任意一项所述的钝化接触结构，所述钝化接触结构设置在所述硅基底的背面，所述富硅氧化硅层设置在所述第一多晶硅层靠近所述硅基底的一侧。
7.一种如权利要求1-5任意一项所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，其中一层多晶硅层为第二多晶硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄永悦，陈红，刘成法，王昆州，吴健，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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