用于光伏电池的新本征吸收体层制造技术

为了通过PECVD沉积，在基础结构上，于太阳能电池的p-i-n配置内制造出非晶氢化硅的本征吸收体层，因此改进生产量同时维持吸收体层的质量，已提出了特定的加工状况，其中在用来沉积所提出的吸收体层的反应器中，建立1毫巴至1.8毫巴间的压力及硅烷流与氢流，其中硅烷对氢的稀释为1：4高至1：10，及以每1.4平方米待涂覆的基础结构表面在600瓦至1200瓦间的产生器功率产生RF等离子体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种新颖的本征吸收体层(i-层)，其在高达6. 6埃/秒的提高的沉积速率下沉积；以及包含所述i_层的光伏电池及模块。本专利技术进一步涉及布置在太阳能电池的P-i-n配置的P与i层间的缓冲层。那些本征吸收体层可使用作为用于单、双及三结非晶硅太阳能电池/模块的吸收体及作为用于非晶/微晶堆叠(miCTomorph)太阳能电池/模块(=非晶与微晶电池的堆叠组合)的顶部电池。
技术介绍
现有技术图3示出一基本、简单的光伏电池40，其包含透明基板41，例如为玻璃，在其上沉积有一层透明导电氧化物(TCO) 42。该层亦称为正面接触，并且作为用于光伏元件的第一电极。基板41与正面接触42的组合也被称作盖板(superstrate)。下一层43作为有·源光伏层，并展示形成P-i-n结的三“子层”。所述层43包含氢化微晶硅，纳米晶体硅或非晶硅或其组合。子层44 (邻近TCO正面接触42)是正掺杂的，该邻近子层45是本征的，及该最后子层46是负掺杂的。在替代实施例中，如所述的该层序列p-i-n可以反转为n-i-p，那么，层44被识别为η层，层45再度为本征的，层46为ρ层。最后，该电池包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.11.18 US 61/262,179;2009.12.04 US 61/266,7391.一种在太阳能电池的p-i-n配置中制造非晶氢化硅的本征吸收体层的方法，其通过在反应器中在用于所述层的基础结构上PECVD沉积所述层来进行，所述沉积包括 -在所述反应器中建立I毫巴至I. 8毫巴间的压力； -建立硅烷流与氢流，其中硅烷对氢的稀释为I :4高至I :10 ; -以每I. 4平方米待涂覆的基础结构表面在600瓦至1200瓦间的产生器功率产生RF等离子体。2.如权利要求I的方法，包括在200°C的温度处执行所述沉积。3.如权利要求I或2中的一项的方法，所述沉积是在生长速率4.4埃/秒至6. 6埃/秒下执行的。4.如权利要求1-3中的一项的方法，包括建立以下之一 -所述压力1毫巴；及 -所述硅烷流每I. 4平方米的基础结构表面450 sccm ； -所述氢流每I. 4平方米的基础结构表面2000 sccm ； -所述功率每I. 4平方米的基础结构表面600瓦； 或及优选为 -所述压力1· 8晕巴；及 -所述硅烷流每I. 4平方米的基础结构表面450 sccm ； -所述氢流每I. 4平方米的基础结构表面2000 sccm ； -所述功率 每I. 4平方米的基础结构表面1200瓦。5.如权利要求1-4中的一项的方法，其中有效的是 -所述基础结构的表面为所述P-i-n电池的P层的表面，及在所述P层的所述表面与所述吸收体层间提供缓冲层； 或 -所述基础结构的表面为所述P-i-n电池的η层的表面，及在所述吸收体层与待沉积在所述吸收体层上的随后层间提供缓冲层； 通过利用下列不同的设定以与所述吸收体层的沉积相同的沉积工艺执行非晶氢化硅的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：SN巴克赫阿南加，S贝纳格利，
申请(专利权)人：欧瑞康太阳能股份公司特吕巴赫，
类型：
国别省市：