【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请一般涉及用于产生太阳电池的方法和设备，并且更具体地涉及用于在用于薄膜式太阳电池的衬底上沉积微晶硅层的方法和设备。
技术介绍
也称为光电转换器件或太阳电池的光伏器件是光、尤其是太阳光转换成直流电(DC)电功率的器件。针对低成本批量生产，薄膜式太阳电池特别令人感兴趣，因为其允许使 用玻璃、玻璃陶瓷或其他刚性或柔性材料作为衬底代替晶体或多晶硅。太阳电池结构、即负责或能够产生光伏效应的层序列被沉积在衬底上的薄层中。此沉积可以在大气或真空条件下进行。沉积技术在本领域中是众所周知的，诸如PVD、CVD、PECVD, APCVD等，其中的每ー个都在半导体器件的生产中使用。薄膜式太阳电池一般包括第一电极、一个或多个半导体薄膜p-i-n结以及第ニ电极，其被连续地堆叠在衬底上。姆个p-i-n结或薄膜光电转换单元包括被夹在P型层与η型层之间的i型层(P型=正掺杂，η型=负掺杂)。基本上为本征半导体层的i型层占用薄膜p-i-n结的厚度的多数，并且主要负责由太阳电池执行的光电转换。随着薄膜太阳电池被越来越多地大量生产，要求用于高效地且有效地制造此类太阳电池的集成制造过程。诸如等离子...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.16 US 61/324,9091.一种用于生产光伏电池的沉积系统，所述沉积系统包括； 沉积室,其基本上包围其中半导体材料将被沉积到衬底上以在衬底上形成半导体材料的微晶层的反应空间； 衬底支撑体，其在反应空间中支撑所述衬底； 第一和第二电极，其彼此相对并以距离D分离，所述第一和第二电极被操作连接至将被激励以便将等离子体点燃并在沉积的至少一部分期间保持反应空间中的等离子体的电源； 真空子系统，其至少部分地抽空所述沉积室； 输送子系统，其向所述反应空间引入工艺气体，所述工艺气体包括来自半导体源的含半导体气体和来自稀释源的稀释剂；以及 控制器，其被编程为控制真空子系统和输送子系统中的至少一个的操作以 在小于或等于下式的压力下在半导体材料沉积的至少一部分期间保持负压2.根据权利要求I所述的沉积系统，还包括衬底调节器，其向衬底提供加热效应或向衬底提供冷却效应，或者向衬底提供加热和冷却效应以建立用于半导体材料到衬底上的沉积的期望温度。3.根据权利要求1-2所述的沉积系统，其中，所述第一电极包括所述衬底支撑体。4.根据权利要求1-3所述的沉积系统，其中，由所述衬底调节器建立的衬底的期望温度在从约120°C至约280°C的温度范围内。5.根据权利要求I- 4所述的沉积系统，其中，所述温度范围从约140°C至约220°C。6.根据权利要求I- 5所述的沉积系统，其中，所述电源包括提供具有大于或等于35MHz的频率的RF功率的RF发生器。7.根据权利要求6所述的沉积系统，其中，第一和第二电极中的至少一个包括基本上平面的表面，所述基本上平面的表面包括表面面积A，并且所述RF功率包括大于或等于表面面积A的O. I W每cm2的功率密度。8.根据权利要求I- 7所述的沉积系统，其中，将所述第一和第二电极分离的距离D大于或等于约IOmm且小于或等于约30mm。9.根据权利要求I- 8所述的沉积系统，其中，所述第一和第二电极中的至少一个包括基本上平面的表面，所述基本上平面的表面包括表面面积A，并且所述控制器进一步被编程为建立用于被引入到反应空间的工艺气体的表面面积A的约O. 03 sccm每cm2的流速。10.根据权利要求I- 9所述的沉积系统，其中，所述控制器进一步被编程为将负压保持在大于或等于O. 8 mbar且小于或等于3. O mbar的压力。11.根据权利要求I- 10所述的沉积系统，其中，所述控制器被编程为在半导体材料沉积的所述部分期间保持按体积计百分之七十(70%)以上的工艺气体中的含半导体气体的浓度。12.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：M克林德沃特，M库皮希，
申请(专利权)人：欧瑞康太阳能股份公司特吕巴赫，
类型：
国别省市：
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