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本发明公开了一种深沟槽填充方法，在深沟槽内，先用外延填充，外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢之后，再利用非导电介质对沟槽内剩余空隙进行填充至填充满沟槽。本发明所述的深沟槽填充方法，外延填充在外延底部合拢后顶部合拢前停止，保持底部和顶部的外延...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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