【技术实现步骤摘要】
201610362466
【技术保护点】
一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构，所述的晶体管结构为最底部处设有漏极电极，在所述漏极电极顶部上设有第一导电类型的重掺杂漏区，在所述第一导电类型的重掺杂漏区的顶部上设有第一导电类型的轻掺杂漂移区，在所述第一导电类型的漂移区顶部上设有第二导电类型的重掺杂源区和第一导电类型的轻掺杂JFET区，在第二导电类型的重掺杂源区和第一导电类型的轻掺杂JFET区顶部设有栅极电介质，所述的栅极电介质上方设有栅极电极，所述的栅极电极顶部设有层间电介质，层间电介质覆盖在栅极电极上方，并与第二导电类型的重掺杂源区上表面相接触，所述的层间电介质顶部设有源级电极，源极电极与第二导电类型的重掺杂源区接触且通过层间电介质与栅极分离，其特征在于：在所述第一导电类型的漂移区顶部上设有多个均匀排列的第一导电类型的轻掺杂JFET区，所述的多个第一导电类型的轻掺杂JFET区被第二导电类型的重掺杂源区侧向包围。
【技术特征摘要】
1.一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构，所述的晶体管结构为最底部处设有漏极电极，在所述漏极电极顶部上设有第一导电类型的重掺杂漏区，在所述第一导电类型的重掺杂漏区的顶部上设有第一导电类型的轻掺杂漂移区，在所述第一导电类型的漂移区顶部上设有第二导电类型的重掺杂源区和第一导电类型的轻掺杂JFET区，在第二导电类型的重掺杂源区和第一导电类型的轻掺杂JFET区顶部设有栅极电介质，所述的栅极电介质上方设有栅极电极，所述的栅极电极顶部设有层间电介质，层间电介质覆盖在栅极电极上方，并与第二导电类型的重掺杂源区上表面相接触，所述的层间电介质顶部设有源级电极，源极电极与第二导电类型的重掺杂源区接触且通过层间电介质与栅极分离，其特征在于：在所述第一导电类型的漂移区顶部上设有多个均匀排列的第一导电类型的轻掺杂JFET区，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：周贤达，徐远梅，舒小平，
申请(专利权)人：中山港科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。