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本实用新型提供一种栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件，包括横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构；在每个纵向结构中，包括至少一个元胞；所述元胞包括：N+型衬底，N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极，N+型衬底上生长有...
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