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碳化硅半导体装置100，其特征在于，包括：n型半导体区域114，形成在n‑型异质外延层112的表面；p型体区域116，形成在比n型半导体区域114更深的位置上；p‑型沟道区域118，被形成为从n‑型异质外延层的表面侧到达p型体区域；以及n+...
该专利属于新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社授权不得商用。

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