专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
富士电机株式会社
>
碳化硅半导体元件的制造方法技术
>技术资料下载
下载碳化硅半导体元件的制造方法的技术资料
文档序号:13547427
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
通过在p型碳化硅半导体部(1)的表面形成石墨烯层(11)之后,在石墨烯层(11)的表面形成金属电极(2),从而在p型碳化硅半导体部(1)和金属电极(2)的接合界面形成偶极。由此,使在p型碳化硅半导体部(1)和金属电极(2)的接合界面产生的电...
该专利属于富士电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士电机株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。