本实用新型公开了一种使用寿命长的发光二极管，涉及二极管技术领域，为解决现有技术中的在发光二极管使用的过程中会产生大量热量，这些热量会影响发光二极管晶片的生命周期，导致发光二极管寿命减少的问题。包括环氧树脂包头和阳极导片，所述环氧树脂包头...

本实用新型公开了一种用于生产二极管的输送装置，涉及二极管相关领域，为解决现有技术中的无法解决二极管的晶体管会在运输的过程中与运输装置产生相互碰撞的问题。所述装置主体上设置有放置槽，所述放置槽的下端设置有晶体管槽，所述晶体管槽的内部设置有...

本实用新型公开了一种便于安装的发光二极管，涉及发光二极管技术领域，为解决现有的发光二极管通常锡焊在电路板上端，一旦发光二极损坏，需要重新焊接，极为麻烦的问题。所述环氧树脂内部的一侧安装有第一导电支架，所述第一导电支架的外部的下端安装有安...

本实用新型公开了一种用于二极管的分类装置，涉及二极管技术领域，为解决现有技术中的普通二极管分类装置在分类工作时，对二极管的整理效率过慢的问题。所述输送机构的上方分别设置有收缩通道和输料通道，所述整理机构的内部安装有第一气缸，且第一气缸与...

本实用新型公开了一种用于二极管的焊接装置，涉及二极管焊接领域，为解决现有技术中的二极管贴片元件在焊接工作时，需要较好的焊接技术和技巧，初学者不容易焊好，而且容易弄坏电路板，影响工作的问题。所述升降台的下方安装有装置底座，所述装置底座与升...

本实用新型公开了一种耐高温的二极管，涉及二极管技术领域，为解决现有技术中的现有的二极管自身属于发热元件，但其自身的发热量较少不会影响内部结构，而如果将二极管应用于高温环境中时，外部的环境温度可能会导致二极管出现烧坏的情况的问题。所述密封...

本实用新型涉及二极管分类机，包括底座、料斗、送料盘，直振轨道和分选机构，所述送料盘和分选机构固定在底座上，直振轨道的一端与送料盘的出料口连接，另一端设置在分选机构处，分选机构位于送料盘的一侧，料斗设置在送料盘的上方并通过升降机构与底座连...

本实用新型涉及二极管注塑装夹工装，包括下框架、上框架以及投料框架，所述下框架包括下框体以及设置在下框体内的料片承载台，所述上框架包括与下框体对应的上框体以及设置在上框体上并与料片承载台对应的压紧片，所述投料框架包括投料框体、设置在投料框...

本实用新型涉及二极管用芯片点胶机，包括工作平台、点胶针板、多个设置在点胶针板上的点胶针以及用于控制点胶针板移动的多向行走机构，所述工作平台上设有胶水框、芯片框以及料片框，采用上述结构后，工作平台上设置有用于放置胶水的胶水框、放置芯片的芯...

本实用新型涉及二极管用芯片扩片机，包括机架、设置在机架内的上推装置、与上推装置传动连接的下压模、下推装置、与下推装置传动连接的上压模以及设置在机架上端的压环，所述下压模包括基座、定块以及与上压模对应的动块，所述基座设有凹槽，所述定块固定...

本实用新型涉及二极管用烘箱，包括箱体和输送装置，所述输送装置沿水平方向贯穿于箱体，输送装置的两端位于箱体外侧形成进料端和出料端，所述箱体内部分为独立的烘干室和冷却室，烘干室内壁上设有多个导热片，而在烘干室内壁的夹层内设有保温层，箱体上设...

本实用新型涉及二极管导针排向机，包括机架，机架上设有依次相连的上料机、导料板、分料板、平振板和斜振板，斜振板的下方设有石墨舟，所述分料板的上端面与导料板的下端面连接，平振板的上端面与分料板的下端面连接，分料板上设有收料装置，所述机架上设...

本实用新型涉及二极管料排冲切装置，包括底座、压板、支撑机构、冲切机构、排料机构和安装座，所述压板设置在底座的正上方并通过支撑机构与底座相连，安装座和排料机构固定在底座上，所述排料机构位于安装座的一侧，冲切机构固定在底座上并正对着安装座。...

本实用新型涉及二极管芯片用远红外鼓风干燥箱，包括箱体、设置在箱体内的物料架、多个设置在箱体内壁的远红外元件以及设置在箱体外的鼓风机，所述箱体设有进风口与出风口，所述鼓风机设有送风管路与抽风管路，所述送风管路与进口风连接，所述抽风管路与出...

本实用新型涉及二极管带封边装置，包括底座、机壳、安装座、连接板、切刀和注胶装置，所述切刀设置在连接板的下方并通过第一滑动机构与连接板连接，而连接板通过第二滑动机构连接在机壳上，安装座设置于底座上并位于切刀的下方，安装座上设有与切刀相对应...

本实用新型涉及二极管芯片用石墨舟散热装置，包括冷却室、风机以及冷凝水箱，所述冷却室设有进风口与出风口，所述冷却室内设有放置板，所述放置板上设有多个通风孔，所述风机设有送风管路以及收风管路，所述送风管路与进风口连接，收风管路与出风口连接，...

本发明涉及微电子加工技术领域，特别是涉及一种半导体硅晶片腐蚀液，是由硝酸、氢氟酸和冰乙酸按照体积比为4～14:4～14:6～18混合而成。将半导体硅晶片放置于盛有腐蚀液的密闭容器中，在低温条件下进行腐蚀。本发明通过调节硝酸和氢氟酸的不同...

本发明涉及微电子加工技术领域，特别是涉及一种半导体硅晶片表面钝化方法，包括以下步骤：(1)选用P型硅作衬底，经制绒抛光，杂质源扩散制成上、下表面均具有PN结的硅晶片；(2)将硅晶片用腐蚀液腐蚀出若干沟槽；(3)将硅晶片光刻保护至只有沟槽...

本发明涉及半导体晶片制造领域，特别是一种制造半导体晶片用硅片的杂质源扩散方法，包括以下步骤，将硅片放入密闭的高温扩散炉中，向高温扩散炉中通入氮气和磷源，使携带磷源的氮气经高温热分解和硅片表面反应，还原出杂质原子并向硅片内部扩散，从而使得...