一种去胶液及其制备方法与应用技术

本发明专利技术属于半导体加工技术领域，本发明专利技术公开了一种去胶液及其制备方法与应用。本发明专利技术的去胶液包括以下重量份的组分：溶剂70～90份，络合剂1～5份，脱水剂5～10份，剥离助剂5～10份，清洗助剂1～3份。本发明专利技术制备的去胶液在芯片或光刻胶表面可充分铺展渗透，所有组分的协同作用加快了去胶速度且增强了去胶效果，络合剂和脱水剂的使用可避免金属腐蚀问题。剂和脱水剂的使用可避免金属腐蚀问题。

【技术实现步骤摘要】
一种去胶液及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种去胶液及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]光刻胶是电子工业中关键性基础化工材料，经曝光和显影将所需要的微细图形从掩膜版转移至待加工的基片上，然后再进行刻蚀、扩散、离子注入和金属化等工艺，即完成功能芯片的制作。上述工艺已广泛应用于集成电路、半导体分立器件、显示屏和芯片封装等领域。
[0003]当刻蚀或注入工序完成后，会采用去胶液将芯片表面的光刻胶清除。目前，现有的去胶液由有机碱、NMP和砜类有机溶剂、BTA等金属缓蚀剂、表面活性剂、醇醚类有机溶剂、碳酸酯类溶剂、酰胺类溶剂等构成。在清除光刻胶时存在以下问题：第一，光刻胶都是被设计和处理成最合适的粘附在芯片表面上，以满足刻蚀和离子注入的要求，由于粘附性极强导致其难以清除。第二，氟基或氯基气体的刻蚀，使得光刻胶受激发而变性或受灼热而碳化，在芯片表面上成为不溶的固体污染，导致其难以清除。第三，由于芯片包含金、镍和钛等多种金属和无机材料，在清洗过程中，去胶液中的水分和金属杂质会引发金属间电偶腐蚀及芯片污染；或被剥离下来的光刻胶碎屑回粘在芯片表面，会损伤芯片从而降低芯片的良率。
[0004]因此，如何提供一种可避免金属腐蚀且去胶效果优异的去胶液成为了本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种去胶液及其制备方法与应用，本专利技术中所有组分的协同作用加快了去胶速度且增强了去胶效果，络合剂和脱水剂的使用可避免金属腐蚀问题。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0007]本专利技术提供了一种去胶液，包括以下重量份的组分：
[0008]溶剂70～90份，络合剂1～5份，脱水剂5～10份，剥离助剂5～10份，清洗助剂1～3份。
[0009]进一步的，所述溶剂为2,2,4,6,6
‑
五甲基庚烷、二元醇醚或二氯苯；所述二元醇醚为二乙二醇叔丁醚和/或二丙二醇二甲醚；所述二氯苯为邻二氯苯和/或间二氯苯。
[0010]进一步的，所述络合剂为四羟乙基乙二胺和/或二丁基二硫代磷酸胺。
[0011]进一步的，所述脱水剂为ka沸石分子筛。
[0012]进一步的，所述剥离助剂为N
‑
辛基吡咯烷酮和/或三氟甲烷磺酰亚胺。
[0013]进一步的，所述清洗助剂为十六烷基硫醇和/或十八烷基硫醇。
[0014]本专利技术提供了上述去胶液的制备方法，包括以下步骤：
[0015]S1、将溶剂、络合剂、剥离助剂和清洗助剂混合后过滤得到混合液；对脱水剂顺次进行浸泡、烘干；
[0016]S2、将烘干后的脱水剂和混合液混合即得去胶液。
[0017]进一步的，所述步骤S1中，混合采用搅拌的方式进行，搅拌的转速为100～300r/min，搅拌的时间为30～60min；
[0018]所述过滤的过滤度为0.1～0.2μm；
[0019]所述浸泡采用丙酮浸泡，浸泡的时间为30～50min。
[0020]本专利技术还提供了上述去胶液在集成电路、半导体分立器件、显示屏或芯片封装中的应用。
[0021]经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
[0022]本专利技术使用的溶剂均具有丰富的支链结构，在芯片及光刻胶表面可充分铺展渗透；剥离助剂可以促进变性或碳化的光刻胶从芯片表面清除，分散于去胶液中，增强了去胶效果；清洗助剂可分散去胶液中悬浮的变性或碳化的光刻胶碎屑，防止重新粘附在芯片表面，从而实现彻底清洗的效果；脱水剂可吸收杂质水；络合剂可防止金属析出沉积在异种金属表面，从而造成内短路或可靠性降低，以及金属腐蚀的问题。所有组分的协同作用加快了去胶速度，增强了去胶效果。
具体实施方式
[0023]本专利技术提供了一种去胶液，包括以下重量份的组分：
[0024]溶剂70～90份，络合剂1～5份，脱水剂5～10份，剥离助剂5～10份，清洗助剂1～3份。
[0025]在本专利技术中，所述重量份的组分优选为：溶剂75～85份，络合剂2～4份，脱水剂6～8份，剥离助剂6～8份，清洗助剂2～3份。
[0026]在本专利技术中，所述重量份的组分进一步优选为：溶剂78～82份，络合剂3份，脱水剂7份，剥离助剂7份，清洗助剂3份。
[0027]在本专利技术中，所述溶剂为2,2,4,6,6
‑
五甲基庚烷、二元醇醚或二氯苯；
[0028]所述二元醇醚为二乙二醇叔丁醚和/或二丙二醇二甲醚，优选为二乙二醇叔丁醚；
[0029]所述二氯苯为邻二氯苯和/或间二氯苯，优选为邻二氯苯。
[0030]在本专利技术中，所述络合剂为四羟乙基乙二胺和/或二丁基二硫代磷酸胺，优选为四羟乙基乙二胺。
[0031]在本专利技术中，所述脱水剂为ka沸石分子筛。
[0032]在本专利技术中，所述剥离助剂为N
‑
辛基吡咯烷酮和/或三氟甲烷磺酰亚胺，优选为N
‑
辛基吡咯烷酮。
[0033]在本专利技术中，所述清洗助剂为十六烷基硫醇和/或十八烷基硫醇，优选为十八烷基硫醇。
[0034]本专利技术提供了上述去胶液的制备方法，包括以下步骤：
[0035]S1、将溶剂、络合剂、剥离助剂和清洗助剂混合后过滤得到混合液；对脱水剂顺次进行浸泡、烘干；
[0036]S2、将烘干后的脱水剂和混合液混合即得去胶液。
[0037]在本专利技术中，所述步骤S1中，混合采用搅拌的方式进行，搅拌的转速为100～300r/min，优选为120～280r/min，进一步优选为150～220r/min；搅拌的时间为30～60min，优选
为35～55min，进一步优选为40～50min；
[0038]所述过滤的过滤度为0.1～0.2μm，优选为0.1μm。
[0039]在本专利技术中，所述浸泡采用丙酮浸泡，浸泡的时间为30～50min，优选为35～45min，进一步优选为40min。
[0040]在本专利技术中，所述对脱水剂顺次进行浸泡、烘干重复3～5次，优选为4次。
[0041]在本专利技术中，所述去胶液优选保存在洁净桶中，洁净桶桶盖由内到外包含内衬盖、带螺纹结构的旋转盖及外部扣压结构的一次性防盗盖，以保证产品储存及运输过程中的密封性；所述洁净桶的材质优选为HDPE。
[0042]本专利技术还提供了上述去胶液在集成电路、半导体分立器件、显示屏或芯片封装中的应用。
[0043]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0044]实施例1
[0045]本实施例选用的原料及用量如下：
[0046]溶剂：2,2,4,6,6
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去胶液，其特征在于，包括以下重量份的组分：溶剂70～90份，络合剂1～5份，脱水剂5～10份，剥离助剂5～10份，清洗助剂1～3份。2.根据权利要求1所述的去胶液，其特征在于，所述溶剂为2,2,4,6,6
‑
五甲基庚烷、二元醇醚或二氯苯；所述二元醇醚为二乙二醇叔丁醚和/或二丙二醇二甲醚；所述二氯苯为邻二氯苯和/或间二氯苯。3.根据权利要求2所述的去胶液，其特征在于，所述络合剂为四羟乙基乙二胺和/或二丁基二硫代磷酸胺。4.根据权利要求1、2或3所述的去胶液，其特征在于，所述脱水剂为ka沸石分子筛。5.根据权利要求4所述的去胶液，其特征在于，所述剥离助剂为N
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辛基吡咯烷酮和/或三氟甲烷磺酰亚胺...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨同勇，朱国玉，王剑，李文瀚，
申请(专利权)人：三达奥克化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：