一种太阳能电池硅片清洗剂及其清洗工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池硅片清洗剂及清洗工艺，属于太阳能电池生产技术领域，由以下组分组成：0.5%-3%的表面活性剂、2.1%-13%的无机盐、1%-5%的有机盐，余量为去离子水；清洗工艺包括（1）按重量百分比将表面活性剂、无机盐、有机盐和去离子水混合配制成太阳能电池硅片清洗剂；（2）在步骤（1）中配制成的清洗剂中加入20～25倍体积的去离子水，搅匀后得太阳能电池硅片清洗液；（3）在常温下，将硅片放入步骤（2）中配制成的太阳能电池硅片清洗液中进行清洗。本发明专利技术对于硅片表面污染物采用相似相溶原理，达到良好的去污效果，对硅片表面无腐蚀，提高晶硅太阳能电池的质量，提高成品率，从而降低电池片生产的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池硅片清洗剂及清洗工艺，应用于太阳能电池生产过程，属于太阳能电池生产

技术介绍
在单晶硅太阳能电池生产工艺中，单晶硅在切片、清洗等制作过程中硅片表面会产生损伤层、碱、盐、有机污染、金属杂质与灰尘等。其中对于损伤层与金属杂质可在制绒与后续酸洗过程中有效去除，而对于灰尘与有机污染等在制绒反应中很难去除，而且会阻碍硅片表面的晶向腐蚀，引起明显色差，增高反射率，降低制绒质量与影响硅片整体的制绒效果。目前表面预清洗工艺一般采用粗抛与APM清洗工艺，同时借助物理超声波清洗方法。粗抛使用较高浓度氢氧化钠溶液与硅片发生反应，虽然可去除表面损伤层，在一定程度上去除表面污染物，但粗抛之后硅片表面溶液残留较多碱，同时减薄量很大，不易控制，对后续工艺产生较大影响。而APM清洗工艺，使用氨水与双氧水进行清洗，通过氧化与微刻蚀去除轻微有机物，表面颗粒与部分金属污染物，氨水容易挥发，双氧水容易分解，需要不断补加，工艺稳定性差，清洗效果不完全。
技术实现思路
为解决现有技术的上述不足，本专利技术提供了一种太阳能电池硅片清洗剂及其清洗工艺，清洗剂无挥发，无刺激性气味，对设备要求低，有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池硅片清洗剂，其特征在于：由表面活性剂、无机盐、有机盐和去离子水组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李一鸣，张震华，王建新，
申请(专利权)人：绍兴拓邦电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：