【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及清洗剂领域，尤其涉及。
技术介绍
硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。目前多数娃片清洗剂米用RAC清洗中的一号液和三号液,但是一号液显碱性,可能会造成硅表面粗糙，要严格控制温度、浓度和时间；三号液显酸性，有强腐蚀性，对人体健康也不利，生产成本高，有刺激性气味，污染环境，因此需要进一步改进配方，以达到清洁彻底、无污染、腐蚀小、对人体健康、电路安全、降低成本的目的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，该清洗剂具有清洁彻底、清洁速度快的优点。本专利技术的技术方案如下:` 一种水基硅片清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成:硼酸钠2-3、焦磷酸钾1-2、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯3-4、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠4-5、柠檬酸2-3、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120 ； 所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1_2、植酸1-2、吗啉3_4、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至60-70°C，搅拌20-30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80-85°C，搅拌30-40分钟，即得。所述水基硅片清洗剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤...
【技术保护点】
一种水基硅片清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成：硼酸钠2?3、焦磷酸钾1?2、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯3?4、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠4?5、柠檬酸2?3、乙醇30?40、助剂4?5、去离子水100?120；所述助剂由下列重量份的原料制成：硅烷偶联剂KH?570?2?3、抗氧剂1035?1?2、植酸1?2、吗啉3?4、甲基丙烯酸?2??羟基乙酯3?4、乙醇12?15；制备方法是将硅烷偶联剂KH?570?、植酸、乙醇混合，加热至60?70℃，搅拌20?30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80?85℃，搅拌30?40分钟，即得。
【技术特征摘要】
1.一种水基硅片清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成:硼酸钠2-3、焦磷酸钾1-2、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯3-4、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠4-5、柠檬酸2-3、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120 ； 所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1_2、植酸1-2、吗啉3_4、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭万东，孟祥法，董培才，
申请(专利权)人：合肥中南光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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