单晶硅片的清洗工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤：（1）预冲洗：将单晶硅片依次在四槽脱胶机的四个槽中进行清洗；（2）脱胶：将预冲洗后的硅片进行人工脱胶；（3）超声波清洗：将脱胶后的硅片浸入六槽式超声波清洗机中清洗；（4）甩干：将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干；（5）检验：将甩干后的硅片进行外观检测，检测合格后转入其他工序。本发明专利技术清洗效果好，合格率大幅提高，极大地提高了机器的工作效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．　一种单晶硅片的清洗工艺，其特征是，包括如下步骤：（１）预冲洗：将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在１号、２号槽中进行预冲淋，纯水温度为４５～５０℃，时间为６－７分钟，在３号槽中进行超声清洗，超声６－７分钟，水温５５－６０℃，超声频率为４５－５０赫兹，在４号槽中加入３％－５％体积浓度的乳酸或草酸或柠檬酸，超声清洗６－７分钟，水温５５－６０℃，超声频率为４５－５０赫兹；（２）脱胶：将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温５０～６０℃，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；（３）超声波清洗：将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗６－７分钟，水温４５～５０℃；将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗６－７分钟，水温６０～６５℃；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、第六槽的清水中各漂洗６－７分钟，同时打开溢流阀，水温５５～６０℃；（４）甩干：将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度５５℃，转速４００转，时间６－７分钟；（５）检验：将甩干后的硅片进行外观检测，检测合格后转入其他工序。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙亮湖，
申请(专利权)人：无锡尚品太阳能电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32