快速节能单晶硅拉制停炉工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种单晶硅制备技术领域，尤其涉及一种快速节能单晶硅拉制停炉工艺，包括以下步骤：1）控制坩埚停止上升，将籽晶轴转速降低至1～3RPM，将坩埚轴转速降低至1～3RPM，将籽晶上升速度保持在1～3mm/min，控制加热系统的加热功率逐渐降低至零，2）等待15～18分钟，炉内熔体硅结晶后关闭真空球阀，充入氩气3～4分钟，当炉压升至375～385托时停止充入氩气，关停真空泵，关闭所有电控设备，3）等待42～45分钟，排出步骤2）中充入的氩气，再次充入氩气3～4分钟，当炉压升至675～685托时停止充入氩气，等待180～210分钟，待单晶硅冷却后拆炉将其取出，这种快速节能单晶硅拉制停炉工艺耗时短，消耗的高纯氩气较少，电能消耗也较少，节能降耗，降低了生产成本，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种快速节能单晶硅拉制停炉工艺，其特征在于，包括以下步骤：1）控制坩埚停止上升，将籽晶轴转速降低至1～3RPM，将坩埚轴转速降低至1～3RPM，将籽晶上升速度保持在1～3mm/min，控制加热系统的加热功率逐渐降低至零；2）等待15～18分钟，炉内熔体硅结晶后关闭真空球阀，充入氩气3～4分钟，当炉压升至375～385托时停止充入氩气，关停真空泵，关闭所有电控设备；3）等待42～45分钟，排出步骤2）中充入的氩气，再次充入氩气3～4分钟，当炉压升至675～685托时停止充入氩气，等待180～210分钟，待单晶硅冷却后拆炉将其取出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高阳，徐国军，何俊，于银，
申请(专利权)人：江苏海翔化工有限公司，
类型：发明
国别省市：