高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备技术

本发明专利技术提供一种高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备，本发明专利技术多晶硅铸锭硅真空固液分离方法包括以下步骤:将硅料在容器内熔化成熔融硅料；拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时，抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体；抽真空的同时，采用压杆在壳体上穿孔，所述壳体内部硅液在负压的作用下从孔中流出至壳体表面，待熔体全部流出停止压杆在壳体上穿孔，流出的硅液在壳体上凝固，实现富集杂质铸锭和较高纯度铸锭的分离。本发明专利技术还能抑制富集杂质的反向扩散，同时更可方便切除定向凝固提纯得到的富集杂质的铸锭，提高多晶硅生产中的出成率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭硅真空固液分离方法，其特征在于，包括以下步骤:?将硅料在容器内熔化成熔融硅料；拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时，抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体；抽真空的同时，采用压杆在壳体上穿孔，所述壳体内部硅液在负压的作用下从孔中流出至壳体表面，待硅液全部流出停止压杆在壳体上穿孔，流出的熔体在壳体上凝固，实现富集杂质铸锭和较高纯度铸锭的分离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜大川，任世强，石爽，谭毅，邱介山，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：