一种制作低氧坩埚的方法技术

技术编号:7241366 阅读:312 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种低氧坩埚生产方法,工艺步骤为在电极放电,石英砂融化成型后,坩埚内壁的温度一般在1300~2000度左右,然后通过一个送气装置,向坩埚内壁均匀吹入高纯度的氮气,氮气与石英砂中的硅在高温下反应生成氮化硅膜,成为一层保护介质。本发明专利技术可以阻止坩埚里的氧成分扩散到原材料中,同时可以形成一层高强度的保护膜,增加石英坩埚的强度,减少高温软化现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化工产品生产工艺,特别是一种可以增加石英坩埚的强度,减少高温软化现象的制作低氧坩埚的方法
技术介绍
科学试验证明,掺硼系列的硅电池片,氧和硼起作用,对寿命和效率有不可忽视的影响,硅材料中的氧,主要来自石英坩埚的溶解。减少石英坩埚中二氧化硅腐蚀到硅熔体中,能减少氧进入硅熔体,减少氧与硼结合形成硼氧复合体,有利于防止太阳能电池片效率减退,确保使用寿命。高纯度的石英坩埚,是高质量太阳能电池片的质量保证。所以本方法旨在现在的坩埚制作基础上添加一种新的保护层来达到减少石英坩埚中二氧化硅腐蚀到硅熔体中。在石英坩蜗熔制制作时,在内壁沉淀一层纯度非常高的S i C氮化硅膜,氮化硅是一种高温陶瓷材料,它的硬度大、熔点高、化学性质稳定。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可以阻止坩埚里的氧成分扩散到原材料中,同时可以形成一层高强度的保护膜,增加石英坩埚的强度,减少高温软化现象的制作低氧坩埚的方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现,其特征在于通过一个送气装置,向坩埚内壁均勻吹入高纯度的氮气,氮气与石英砂中的硅在高温下反应生成氮化硅膜,成为一层保护介质。优选地,所述坩埚内壁的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:司继成沈凯峰沈凯冰王金根
申请(专利权)人:南通路博石英材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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