蒸镀用坩埚、蒸镀装置以及蒸镀方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在通过邻近蒸镀进行的蒸镀中、能够利用传感器检测成膜速率的蒸镀用坩埚、蒸镀装置以及蒸镀方法。本发明专利技术的坩埚具有：收容部，其用于收容蒸镀源；第1引导通路，其用于将自蒸镀源放出的气化材料朝向被处理基板引导；壁部，其用于划分第1引导通路；第2引导通路，其自第1引导通路的中途部分支，并且贯穿该壁部而与外部连通。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】 本申请主张日本特愿2012-027451号的优先权，并通过引用而编入本申请说明书 的记载。
本专利技术涉及一种用于自蒸镀源使气化后的气化材料蒸镀在被处理基板上的蒸镀 用坩埚、蒸镀装置以及蒸镀方法。
技术介绍
在以往的蒸镀装置中，例如，将被处理基板配置在真空室内，并且自该被处理基板 隔开规定的间隔地配置蒸镀源。一般而言，该蒸镀装置通过自该蒸镀源使气化后的气化材 料朝向被处理基板放出，从而形成规定的膜厚的薄膜（例如，参照专利文献1)。 更具体而言，该蒸镀装置是在真空室内具有用于收容蒸镀源的坩埚和用于对该坩 埚进行加热的发热体。蒸镀装置通过来自发热体的辐射热和/或热传导来对坩埚进行加 热，使气化材料自蒸镀源放出。蒸镀装置通过使该气化材料蒸镀在被处理基板上而进行成 膜。 这样一来，在以往的蒸镀装置中，使蒸镀源与被处理基板分开，但从装置的小型 化、蒸镀源的有效利用的观点出发，希望尽可能缩小该分开间隔。 专利文献1 :日本特开2008-163365号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问是页 在该观点下，近年来，随着研究、开发的推进，出现一种被称为邻近蒸镀（日文：近 接蒸着）的技术。在该邻近蒸镀中，例如，如图7所示，使用坩埚105,该坩埚105具有用于 收容蒸镀源101的收容部102和将来自蒸镀源101的气化材料向被处理基板引导的引导通 路104。在邻近蒸镀中，通过在坩埚105中形成引导通路104,能够将蒸镀源101和被处理 基板103之间的距离最小化。 然而，在利用蒸镀装置进行的蒸镀中，需要确认该蒸镀的状态（所谓的成膜速 率）。因此，以往，在真空室内设置有用于测量被形成于被处理基板的膜的厚度的传感器。 作为该传感器，例如，使用QCM(Quartz Crystal Microbalance，石英晶体微天平）。该QCM 能够基于与气化材料的堆积量相应的频率变化来检测成膜速率，该气化材料附着在配置于 真空室内的规定的位置的水晶振子上。 在邻近蒸镀中也想要使用上述的传感器的情况下，即使将传感器配置在真空室 内，气化材料也无法自坩埚105内的引导通路104来到外部。因此，气化材料未到达该传感 器。因此，传感器不能检测成膜速率。 另一方面，也考虑将该传感器配置于引导通路104内。在该情况下，存在如下问 题：引导通路104内的气化材料与坩埚自身一起也达到高温，因此，受到该影响，传感器的 测量精度非常低。 本专利技术是鉴于上述情况而做成的，其课题在于，提供一种在通过邻近蒸镀进行的 蒸镀中能够利用传感器检测成膜速率的。 用于解决问题的方案 本专利技术的蒸镀用坩埚，是用于解决上述课题的蒸镀用坩埚，其特征在于，该蒸镀用 坩埚具有：收容部，其用于收容蒸镀源；第1引导通路，其用于将自蒸镀源放出的气化材料 朝向被处理基板引导；壁部，其用于划分第1引导通路；第2引导通路，其自第1引导通路的 中途部分支，并且贯穿该壁部而与外部连通。 另外，本专利技术能够采用如下结构：在上述壁部的外表面设置有向外侧突出的突起 部，上述第2引导通路形成为贯穿该突起部并与上述壁部的孔连通。 另外，本专利技术的蒸镀装置的特征在于，该蒸镀装置具有：上述任意的蒸镀用坩埚； 真空室，其能够将该蒸镀用坩埚收纳于内部；真空泵，其与真空室连接；加热器，其用于对 该蒸镀用坩埚进行加热；传感器，其用于测量气化材料附着于被处理基板而形成的膜的厚 度。 另外，本专利技术是利用上述蒸镀装置使自蒸镀源放出的气化材料蒸镀在被处理基板 上的蒸镀方法，其特征在于，利用设置于上述真空室内的上述传感器检测自上述第2引导 通路放出的气化材料，由此，一边测量气化材料附着于被处理基板而形成的膜的厚度，一边 使气化材料蒸镀在被处理基板上。 【附图说明】 图1是表示本专利技术的第1实施方式的蒸镀装置的剖视图。 图2是表示本专利技术的第2实施方式的蒸镀装置的剖视图。 图3是表示本专利技术的第3实施方式的蒸镀装置的剖视图。 图4是表示本专利技术的第4实施方式的蒸镀装置的剖视图。 图5是表示本专利技术的第5实施方式的蒸镀装置的剖视图。 图6是表示本专利技术的第6实施方式的蒸镀装置的剖视图。 图7是用于说明邻近蒸镀的例子的坩埚的剖视图。 【具体实施方式】 以下，参照图1?图6说明用于实施本专利技术的实施方式。图1表示本专利技术的第1实 施方式。本实施方式的蒸镀装置1被使用于通过所谓邻近蒸镀来例如制造有机EL元件、其 他元件。该蒸镀装置1通过自蒸镀源3使气化后的气化材料蒸镀在规定的被处理基板2上， 而形成规定厚度的薄膜。更具体而言，该蒸镀装置1具有：真空室（未图示）；真空泵（未 图示），其与真空室相连接；蒸镀源3 ;蒸镀用坩埚（以下，简称为坩埚）4,其收纳于真空 室内；传感器5,其设置于坩埚4的邻近位置，并且用于测量被形成于被处理基板2的薄膜 的厚度；加热器（未图示），其用于加热坩埚4。 以下，特别详细说明坩埚4的结构、坩埚4与传感器5之间的位置关系。如图1所 示，坩埚4具有：收容部11，其用于收容蒸镀源3 ;第1引导通路12,其用于将自蒸镀源3放 出的气化材料引导到被处理基板2 ;放出口 13,其设置于第1引导通路12的一端部，并且， 用于将通过该第1引导通路12的气化材料朝向靠近蒸镀源3地配置的被处理基板2放出； 第2引导通路14,其自第1引导通路12的中途部分支并与坩埚4的外部连通。 收容部11为了收容蒸镀源3,具有：底壁部16 ;侧壁部17,其相对于该底壁部16垂 直设置。收容部11由于被这些壁部围绕而形成气化材料的收容空间。收容部11构成为， 通过自其外侧被加热器加热，而将该热量传递到蒸镀源3。 第1引导通路12由以覆盖收容部11的方式设置的壁部形成。该壁部具有：第1 壁部21，其与收容部11的侧壁部17的一部分一体地且连续地连接而形成；第2壁部22,其 以相对于第1壁部21大致正交的方式扩展；第3壁部23,其以相对于第2壁部22大致正 交且相对于第1壁部21大致平行的方式设置。此外，第1壁部21和第3壁部23借助同样 结构的第4壁部和第5壁部而连结起来，但在本实施方式中，并未对其进行说明。第1引导 通路12形成于被上述的第1壁部21?第5壁部25划分而覆盖了的空间。 利用上述的结构，第1引导通路12将自蒸镀源3放出的气化材料借助第1壁部21 向上方引导，并且，借助第2壁部22向横向引导。而且，第1引导通路12借助第3壁部23 向下方引导气化材料。而且，第1引导通路12借助放出口 13朝向被处理基板2放出气化 材料。自放出口 13放出的气化材料附着于被处理基板2。由此，在被处理基板2的表面形 成由此产生的膜。 第2引导通路14设置于第2壁部22的中途部。更具体而言，第2引导通路14由 贯穿第2壁部22并与外部连通的孔（节流孔）31构成。孔31的靠第2壁部22的内表面侧 的开口部成为气化材料的入口 32。孔31的靠第2壁部22的外表面侧的开口部成为气化材 料的出口 33。该孔31的直径或者宽度自入口 32到出口 33是恒定的。另外，优选的是，该 孔31的直径或者宽度比第1引导通路12的尺寸小。例如，优选的是，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸镀用坩埚，其特征在于，该蒸镀用坩埚具有：收容部，其用于收容蒸镀源；第1引导通路，其用于将自蒸镀源放出的气化材料朝向被处理基板引导；壁部，其用于划分第1引导通路；第2引导通路，其自第1引导通路的中途部分支，并且贯穿该壁部而与外部连通。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.10 JP 2012-0274511. 一种蒸镀用坩埚，其特征在于， 该蒸镀用坩埚具有： 收容部，其用于收容蒸镀源； 第1引导通路，其用于将自蒸镀源放出的气化材料朝向被处理基板引导； 壁部，其用于划分第1引导通路； 第2引导通路，其自第1引导通路的中途部分支，并且贯穿该壁部而与外部连通。2. 根据权利要求1所述的蒸镀用坩埚，其特征在于， 上述第2引导通路为贯穿上述壁部的孔。3. 根据权利要求2所述的蒸镀用坩埚，其特征在于， 在上述壁部的外表面设置有向外侧突出的突起部，上述第2引导通路形成为贯穿该突 起部...

【专利技术属性】
技术研发人员：垣内良平，山本悟，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP