【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光半导体元件密封用片材。更详细而言，本专利技术涉及适于迷你/微型led等自发光型显示装置的光半导体元件的密封的片材。
技术介绍
1、近年，作为新一代的显示装置，设计了以迷你/微型led显示装置(mini/microlight emitting diodedisplay)为代表的自发光型显示装置。对于迷你/微型led显示装置，作为基本构成，使用多个微小的光半导体元件(led芯片)以高密度排列的基板作为显示面板，该光半导体元件被密封材料密封，在最表层上层叠树脂薄膜、玻璃板等覆盖构件。
2、具备迷你/微型led显示装置等自发光型显示装置的显示体中，在显示面板的基板上配置有金属、ito等金属氧化物的布线(金属布线)。这样的显示装置存在例如在熄灯时因上述金属布线等而光发生反射、画面的外观变差、外观性差的问题。因此，作为对光半导体元件进行密封的密封材料，采用了使用用于防止由金属布线引起的反射的防反射层的技术。
3、专利文献1中公开了一种粘合片材，其为着色粘合剂层与无色粘合剂层的层叠体，无色粘合剂层以与光半导体元件接触的方式设置。记载了：利用上述粘合片材，在使其接触并追随由基板和设置于该基板的光半导体元件形成的凹凸形状的情况下，在显示体的熄灯时能够提高外观性，另外能够抑制亮度不均。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2020-169262号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、
3、本专利技术是鉴于这样的情况而想到的，其目的在于，提供在将光半导体元件密封的状态下，即使在受到来自外部的冲击的情况下，光半导体元件所发出的光的色调也不易变化的光半导体元件密封用片材。
4、用于解决问题的方案
5、本专利技术人等为了达成上述目的而进行了深入研究，结果发现利用光半导体元件密封用片材，且该光半导体元件密封用片材具备基材薄膜和层叠于上述基材薄膜上的着色粘合剂层，并且上述基材薄膜满足e×(h-λ)3≥1.0时，在将光半导体元件密封的状态下，即使在受到来自外部的冲击的情况下，光半导体元件所发出的光的色调也不易变化。本专利技术是基于这些见解而完成的。
6、即，本专利技术提供一种光半导体元件密封用片材，其为用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片材，
7、上述片材具备：基材薄膜、和层叠于上述基材薄膜的着色粘合剂层，
8、将上述基材薄膜在25℃下的储能模量设为e(mpa)、厚度设为h(mm)、将上述基材薄膜的上边缘到中性轴的距离设为λ(mm)时，上述基材薄膜满足e×(h-λ)3≥1.0。
9、上述光半导体元件密封用片材中，通过具有上述着色粘合剂层，由此能够在将光半导体元件密封时发挥防反射功能。另外，通过以使满足e×(h-λ)3≥1.0的基材薄膜成为比上述着色粘合剂层更靠正面侧的方式对光半导体元件进行密封，从而能够保护上述着色粘合剂层不受冲击，在受到来自外部的冲击时抑制着色粘合剂层的变形，不易使色调变化。
10、上述光半导体元件密封用片材优选在上述基材薄膜及上述着色粘合剂层之间还具备非着色粘合剂层。通过具有这样的构成，从而上述非着色粘合剂层能够吸收来自外部的冲击，能够进一步抑制着色粘合剂层的变形。
11、优选上述基材薄膜的厚度为150～500μm，并且上述基材薄膜的储能模量为1.8～10gpa。通过具有这样的构成，从而上述基材薄膜能够进一步吸收来自外部的冲击，能够进一步抑制着色粘合剂层的变形。
12、上述非着色粘合剂层的厚度优选为100～200μm。通过具有这样的构成，从而上述非着色粘合剂层能够进一步吸收来自外部的冲击，能够进一步抑制着色粘合剂层的变形。
13、上述着色粘合剂层的总透光率优选为5～99％。通过具有这样的构成，从而能够进一步抑制光半导体元件所发出的光的色调变化。
14、另外，本专利技术提供一种显示体，其具备：基板、配置于上述基板上的光半导体元件、以及对上述光半导体元件进行密封的上述光半导体元件密封用片材或其固化物。这样的显示体即使在受到来自外部的冲击的情况下，光半导体元件所发出的光的色调也不易变化。
15、上述显示体优选具备自发光型显示装置。
16、上述显示体优选为图像显示装置。
17、专利技术的效果
18、利用本专利技术的光半导体元件密封用片材，在将光半导体元件密封的状态下，即使在受到来自外部的冲击的情况下，光半导体元件所发出的光的色调也不易变化。
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1.一种光半导体元件密封用片材，其为用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片材，
2.根据权利要求1所述的光半导体元件密封用片材，其中，在所述基材薄膜及所述着色粘合剂层之间还具备非着色粘合剂层。
3.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片材，其中，所述基材薄膜的厚度为150～500μm，并且所述基材薄膜的储能模量为1.8～10GPa。
4.根据权利要求2所述的光半导体元件密封用片材，其中，所述非着色粘合剂层的厚度为100～200μm。
5.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片材，其中，所述着色粘合剂层的总透光率为5～99％。
6.一种显示体，其具备：基板、配置于所述基板上的光半导体元件、以及对所述光半导体元件进行密封的权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片材或其固化物。
7.根据权利要求6所述的显示体，其具备自发光型显示装置。
8.根据权利要求6所述的显示体，其为图像显示装置。
【技术特征摘要】
1.一种光半导体元件密封用片材，其为用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片材，
2.根据权利要求1所述的光半导体元件密封用片材，其中，在所述基材薄膜及所述着色粘合剂层之间还具备非着色粘合剂层。
3.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片材，其中，所述基材薄膜的厚度为150～500μm，并且所述基材薄膜的储能模量为1.8～10gpa。
4.根据权利要求2所述的光半导体元件密封用片材，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：长束尚辉，田中俊平，浅井量子，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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