System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体元件封装的制造方法和半导体元件封装技术_技高网

半导体元件封装的制造方法和半导体元件封装技术

技术编号:41111207 阅读:19 留言:0更新日期:2024-04-25 14:03
本发明专利技术提供一种制造方法,该制造方法是使用配置有多个半导体元件的基板片而制造多个半导体元件封装的方法,适于抑制由内压的上升导致的半导体元件封装的损伤。所提供的制造方法包括如下工序:借助具有多个贯通孔并且具有多孔体片和在多孔体片的两面分别预先形成的粘合层的双面粘合片,将覆盖片与配置有多个半导体元件的基板片以半导体元件位于上述贯通孔内并且由覆盖片覆盖的方式接合,从而获得层叠体;以及分割层叠体,以从覆盖片、基板片以及多孔体片分别获得多个罩、多个基板以及多个多孔体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体元件封装的制造方法和半导体元件封装


技术介绍

1、公知有一种半导体元件封装,该半导体元件封装具备:基板;半导体元件,其配置于基板上;以及罩,其覆盖半导体元件,并且与基板接合,该半导体元件封装在由基板和罩形成的内部空间收纳有半导体元件。在专利文献1中公开有一种半导体元件封装,该半导体元件封装具备:半导体基板;功能元件,其配置于半导体基板上;盖基板,其以与半导体基板的一面相对的方式与该一面隔开预定的间隔地配置;以及密封构件,其配置于功能元件的周围,将半导体基板和盖构件接合。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2009-43893号公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、在专利文献1的半导体元件封装中,以防止封装内的结露为目的,采用了具有透湿树脂层的密封构件。不过,根据本专利技术人等的研究,弄清楚了如下内容:在专利文献1的半导体元件封装中,(1)在由于回流焊等高温处理而使封装内的压力(内压)大幅度上升了的情况下,在封装上可能产生损伤;和(2)虽然使用配置有多个半导体元件的基板片而一并形成多个半导体元件封装,将该多个半导体元件封装分割而制造多个半导体元件封装的做法是高效率的,但在采用了该制造方法的情况下,特别容易产生损伤。根据研究推定原因为:通过相对于透湿树脂层独立地向基板涂敷粘接剂组合物而形成与透湿树脂层接合的粘接剂层,其难以应对上述内压的上升。

3、本专利技术以提供一种制造方法为目的,该制造方法是使用配置有多个半导体元件的基板片而制造多个半导体元件封装的方法,适于抑制由内压的上升导致的半导体元件封装的损伤。

4、用于解决问题的方案

5、本专利技术提供一种制造方法,其是多个半导体元件封装的制造方法,其中,

6、所述多个半导体元件封装各自均具备:基板;半导体元件,其配置于所述基板上;罩,其覆盖所述半导体元件;以及多孔体,其以包围所述半导体元件的方式配置于所述基板与所述罩之间,并且,气体能经由所述多孔体的内部在配置有所述半导体元件的内部空间与外部空间之间通过,

7、所述制造方法包括如下工序:

8、借助具有多个贯通孔并且具有多孔体片和在所述多孔体片的两面分别预先形成的粘合层的双面粘合片,将覆盖片和配置有所述多个半导体元件的基板片以所述半导体元件位于所述贯通孔内并且由所述覆盖片覆盖的方式接合,从而获得层叠体;以及

9、分割所述层叠体,以从所述覆盖片、所述基板片以及所述多孔体片分别获得多个所述罩、多个所述基板以及多个所述多孔体。

10、从另一方面来看,本专利技术提供一种半导体元件封装,其具备:

11、基板;半导体元件,其配置于所述基板上;罩,其覆盖所述半导体元件;以及多孔体,其以包围所述半导体元件的方式配置于所述基板与所述罩之间,并且,气体能经由所述多孔体的内部在配置有所述半导体元件的内部空间与外部空间之间通过,

12、所述基板与所述罩借助具有所述多孔体和在所述多孔体的两面分别形成的粘合层的双面粘合部接合。

13、专利技术的效果

14、根据本专利技术的制造方法,能够高效地制造适于抑制由内压的上升导致的半导体元件封装的损伤的半导体元件封装。另外,根据本专利技术的半导体元件封装,能可靠地抑制由内压的上升导致的损伤。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造方法,其是多个半导体元件封装的制造方法,其中,

2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

3.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

5.根据权利要求4所述的制造方法,其中,

6.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

7.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

8.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

9.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

10.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

11.一种半导体元件封装,其中,

12.根据权利要求11所述的半导体元件封装,其中,

13.根据权利要求11所述的半导体元件封装,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种制造方法,其是多个半导体元件封装的制造方法,其中,

2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

3.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

5.根据权利要求4所述的制造方法,其中,

6.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:石井恭子田中荣作井上健郎菅谷阳辅绀谷友广
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:

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