半导体元件封装的制造方法和半导体元件封装技术

本发明专利技术提供一种制造方法，该制造方法是使用配置有多个半导体元件的基板片而制造多个半导体元件封装的方法，适于抑制由内压的上升导致的半导体元件封装的损伤。所提供的制造方法包括如下工序：借助具有多个贯通孔并且具有多孔体片和在多孔体片的两面分别预先形成的粘合层的双面粘合片，将覆盖片与配置有多个半导体元件的基板片以半导体元件位于上述贯通孔内并且由覆盖片覆盖的方式接合，从而获得层叠体；以及分割层叠体，以从覆盖片、基板片以及多孔体片分别获得多个罩、多个基板以及多个多孔体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体元件封装的制造方法和半导体元件封装。

技术介绍

1、公知有一种半导体元件封装，该半导体元件封装具备：基板；半导体元件，其配置于基板上；以及罩，其覆盖半导体元件，并且与基板接合，该半导体元件封装在由基板和罩形成的内部空间收纳有半导体元件。在专利文献1中公开有一种半导体元件封装，该半导体元件封装具备：半导体基板；功能元件，其配置于半导体基板上；盖基板，其以与半导体基板的一面相对的方式与该一面隔开预定的间隔地配置；以及密封构件，其配置于功能元件的周围，将半导体基板和盖构件接合。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009-43893号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、在专利文献1的半导体元件封装中，以防止封装内的结露为目的，采用了具有透湿树脂层的密封构件。不过，根据本专利技术人等的研究，弄清楚了如下内容：在专利文献1的半导体元件封装中，(1)在由于回流焊等高温处理而使封装内的压力(内压)大幅度上升了的情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造方法，其是多个半导体元件封装的制造方法，其中，

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

9.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

11.一种半导体元件封装，其中，<...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种制造方法，其是多个半导体元件封装的制造方法，其中，

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井恭子，田中荣作，井上健郎，菅谷阳辅，绀谷友广，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：