一种用于制备碳化硅原料的坩埚制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于制备碳化硅原料的坩埚，该技术方案在坩埚体两端均设一个螺纹盖，处于粉料底部的螺纹盖处于高温区域，升华的碳化硅粉料不会在此处结晶，保证了螺纹盖可以拆卸，坩埚可以重复利用。同时在两端增设螺纹盖便于对坩埚体内部进行清洗。本实用新型专利技术通过相对简单的结构改进即有效避免了因结晶附着于密封部所导致的螺纹盖无法打开的技术问题，成本较低、构思巧妙，具有突出的规模化应用前景。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体材料制备
，具体涉及一种用于制备碳化硅原料的坩祸。
技术介绍
SiC半导体材料是继第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP 等)之后发展起来的第三代宽带隙(Wide Band-gap Semiconductor, WBS)半导体材料的代表。与前两代半导体材料相比，SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度以及极好的化学稳定性等特点，在光电子和微电子领域，具有巨大的应用潜力。生长碳化硅晶体所需要的原料，可利用碳化硅粉料制备，通常采用石墨坩祸，坩祸为空心圆柱形，坩祸一边含有一个螺纹盖，通过安装拆卸螺纹盖，可以实现装料和取料。当温度达到2000-240(TC，碳化硅粉料升华，并且再次结晶，形成碳化硅原料，但是，在密封处碳化硅粉料也会结晶，导致螺纹盖无法拆卸。
技术实现思路
本技术旨在针对现有技术的技术缺陷，提供一种用于制备碳化硅原料的坩祸，以通过结构的改进来解决因碳化硅结晶导致螺纹盖无法打开的技术问题。为实现以上技术目的，本技术采用以下技术方案:一种用于制备碳化硅原料的坩祸，其特征在于包括坩祸体，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备碳化硅原料的坩埚，其特征在于包括坩埚体(1)，第一螺纹盖(2)，第二螺纹盖(3)，第一密封部(4)和第二密封部(5)，其中所述坩埚体(1)呈中空管状，第一螺纹盖(2)位于坩埚体(1)的一个端面处、通过第一密封部(4)与坩埚体(1)密封连接，其中第二螺纹盖(3)位于所述坩埚体(1)的另一个端面处、通过第二密封部(5)与坩埚体(1)密封连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：巴音图，高宇，邓树军，陶莹，
申请(专利权)人：河北同光晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13