【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于光伏和半导体器件制造
技术介绍
大小均一、排布周期有序的金字塔阵列，不仅具有特殊的尺寸和形貌效应，还具有良好的光、电、磁学性质。光伏产业常米用碱性织构方法制备随机分布的正金字塔陷光表面来增加光吸收，进而提高电池转化效率。但常规碱性织构方法制备的通常都是正金字塔，而且金字塔完全不具备周期性和均一性。目前单晶硅电池中，保持最高效率(25%)的PERL电池，采用的就是光刻技术制备的规则倒金字塔阵列来作为电池的表面减反结构，该电池的短路电流密度(Jsc)达到了 42.7mA/cm2。美国麻省理工学院报道的最新结果(Anastassios Mavrokefalos, Sang Eon Han, Selcuk Yerci, Matthew S.Branham, andGang Chen, Nano Lett.2012，12，2792-2796)表明:用光刻技术在衬底上制备的周期性排布的倒金字塔阵列具有良好的陷光效果；厚度为10微米，带有倒金字塔阵列陷光结构的单晶娃片的光吸收效率几乎接近Yablonovitch limit (Yablonovit...
【技术保护点】
一种在单晶硅衬底上制备正金字塔阵列的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：（1）采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5?3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥1小时，然后进行快热退火，退火温度为110?130℃，退火时长为1?3分钟；（2）采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀的功率为100?250瓦，刻蚀时间为1?3分钟；（3）将步骤（2）的带有分离微球的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡2?5秒，使单晶硅片表面彼此分离微球的体积缩小，样品从甲苯溶液中取出...
【技术特征摘要】
1.一种在单晶硅衬底上制备正金字塔阵列的方法，其特征在于该方法包括以下步骤: (1)采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球，提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥I小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130°C，退火时长为1-3分钟； (2)采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟； (3)将步骤(2)的带有分离微球的单晶硅片放入甲苯溶液中，浸泡2-5秒，使单晶硅片表面彼此分离微球的体积缩小，样品从甲苯溶液中取出后，用氮气吹干，然后用去离子水冲洗干净，单晶娃片表面形成一个点状分布的微球阵列掩膜； (4)将步骤(3)的带有点状分布微球阵列掩膜的单晶硅片垂直插入含有异丙醇的氢氧化钠水溶液中，在水浴温度为60°C的环境中，腐蚀1-12分钟，所述的水溶液中，氢氧化钠的质量百分比浓度为15%_20%，异丙醇的质量百分比浓度为10%-20% ； (5)将步骤(4)得到的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使单晶硅片表面的微球去除，用去离子水清洗干净，得到具有正金字塔阵列的单晶硅片。2.一种在单晶硅衬底上制备倒金字塔阵列的方法，其特征在于该方法包括以下步骤: (1)采用垂直提拉法在单晶硅片衬底上排布一层六角密排分布的聚苯乙烯胶体微球， 提拉速度为0.5-3微米/秒，将带有微球的单晶硅片放在空气中自然干燥I小时，然后进行快热退火，退火温度为110-130°C，退火时长为1-3分钟； (2)采用感应耦合等离子体刻蚀方法，在通入氧气的氛围下，对微球进行刻蚀，使单晶硅片表面密排的微球彼此分离，刻蚀的功率为100-250瓦，刻蚀时间为1-3分钟； (3)将步骤(2)的带有分离微球的单晶硅片放入射频溅射腔体内，待腔体的真空度达到3X10_3帕后，通入氩气，气体流量为10-20sccm，在功率为200-300瓦下，起辉，溅射时长为1-6分钟，在带有分离微球的单晶硅片表面沉积一层厚度为20-200纳米的金属钛薄膜，由于微球的遮掩，金属钛薄膜仅能沉积在微球没有覆盖的区域； (4)将步骤(3)的带有分离微球和金属钛薄膜的单晶硅片放入甲苯溶液中，在超声波作用下，保持3-5分钟，使单晶硅片表面的微球去除，单晶硅片表面形成一个网格状结...
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