温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法，属于光伏和半导体器件制造技术领域。首先在单晶硅片表面覆盖周期排布的微球，并在微球的玻璃转化温度点附近进行退火；在氧气氛围下，经感应耦合等离子体刻蚀后，得到分离排布的微球阵列；采用物理气相沉积...
该专利属于中国科学院大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。