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本发明创造提供一种新型区熔气掺单晶的掺杂气路，所述掺杂气路管道结构为“π”字型，所述“π”字型掺杂气路中间为一段足够长的L段管道，所述L段管道的一端连通保护气进气口、掺杂气进气口，另一端连通出气口及排气口，所述出气口进入炉膛内部，所述保护气...
该专利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津市环欧半导体材料技术有限公司授权不得商用。

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