【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种8英寸区熔单晶炉保温桶，特别涉及一种剪刀型8英寸区熔单晶炉保温桶。
技术介绍
区熔单晶以其高纯度，高阻值而广泛应用于电力电子领域，在实际生产中我们发现，硅单晶在区熔保持的过程中会产生开裂的情况，由于巨大的温度梯度产生的热应力，对于大直径区熔硅单晶要做到晶体完美性和一致性好，对晶体生长设备和晶体生长工艺均是一种巨大的考验，热场是真空电阻炉的核心部分，它的好坏直接影响到炉子的性能及其运营成本，硅单晶在进行单晶生长时，由于物象的转化(液相转化为固相)，不断放出固相潜热，同时，晶体越拉越长，熔体液面不断下降，热量的传导、辐射等情况都在发生变化，现有的保温桶对防止温度梯度过大效果不明显，需要改进，且传统保温桶是闭环圆桶型，需要从单晶底部安装，十分不方便，单晶拉制过程受影响，特别是CFZ料致密度较差，容易断裂。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的问题，本技术提供一种剪刀式结构，这种开环式结构可以直接安装在硅单晶外部，上料方便，不影响整个拉制单晶过程，减少CFZ料断裂的情况发生，具体技术方案是，一种剪刀型8英寸区熔单晶炉保温桶，包括桶体、把手、中轴，其特征在于:桶体为半圆通透桶体，把手前部为内径与桶体外圆柱面外径相同的半圆环、后部为剪刀把型，上面有中轴孔和长圆孔，把手的半圆环固定于桶体的外圆柱面中部成一体，两个装有把手的桶体用中轴穿在两个重叠的中轴孔内固定并使桶体可开合转动。本技术的有益效果是结构简单，区熔硅单晶安装方便，可以提高真空电阻炉热场的稳定性，延长区熔炉的使用寿命。【附图说明】图1是本技术的结构正视图。图2是本技术的结构俯视图。【具体实施...
【技术保护点】
一种剪刀型8英寸区熔单晶炉保温桶，包括桶体（1）、把手（2）、中轴（3），其特征在于：桶体（1）为半圆通透桶体，把手（2）前部为内径与桶体（1）外圆柱面外径相同的半圆环（2‑1）、后部为剪刀把型，上面有中轴孔（2‑2）和长圆孔（2‑3），把手（2）的半圆环（2‑1）固定于桶体（1）的外圆柱面中部成一体，两个装有把手（2）的桶体（1）用中轴（3）穿在两个重叠的中轴孔（2‑2）内固定并使桶体（1）可开合转动。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姚长娟，高树良，靳立辉，张学强，刘旭光，王遵义，李宇佳，
申请(专利权)人：天津中环半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12
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