一种适合各尺寸衬底外延并提升外延片均匀性的石墨托盘制造技术

一种适合各尺寸衬底外延并提升外延片均匀性的石墨托盘，包括大石墨盘、小石墨盘和交叉支架，大石墨盘的中心设置有大连接柱，大连接柱上连接有交叉支架，交叉支架上以交叉点为中心在每个分支上均匀设置有小连接柱，每个小连接柱上连接一个小石墨盘，大石墨盘和每个小石墨盘上均分布有衬底槽。该石墨托盘通过在大石墨盘和小石墨盘上设置不同尺寸的衬底槽，适合各尺寸衬底外延；大石墨盘和小石墨盘通过特定尺寸的交叉支架、柱、凹槽的配合，可以设置不同的转速，来匹配不同尺寸衬底的外延，进一步提高外延片波长一致性和均匀性。通过进一步优化小石墨盘背面圆柱形凹槽的大小，可以调整小石墨盘中心片的温度，进一步提高外延片质量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种石墨盘，尤其是一种适合各尺寸衬底外延的且提高MOCVD外延片均勾性的石墨盘，属于MOCVD用石墨盘

技术介绍
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(1-1OOTorr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200°C，用灯丝加热石墨盘(衬底基片在石墨盘上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。反应室是由不锈钢Shutter和石墨盘组成。为了生长组分均匀、超薄层、异质结构的化合物半导体材料，各生产厂家和研宄者在反应室结构的设计上下了很大功夫，设计出了不同结构的反应室。石墨盘是由高纯石墨制成，并包裹SIC层。加热多采用灯丝福射加热。由热电偶和温度控制器来控制温度，一般温度控制精度可达到0.2°C或更低。随着MOCVD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适合各尺寸衬底外延并提升外延片均匀性的石墨托盘，包括大石墨盘、小石墨盘和交叉支架，其特征是，大石墨盘的中心设置有大连接柱，大连接柱上连接有交叉支架，交叉支架上以交叉点为中心在每个分支上均匀设置有小连接柱，每个小连接柱上连接一个小石墨盘，大石墨盘和每个小石墨盘上均分布有衬底槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：逯瑶，曲爽，王成新，王建立，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37